公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响被引量：2: 2012年; 研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多。然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10μm。因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小。; 李宗峰周旗钢何自强冯泉林杜娟刘斌; 关键词：直拉硅单晶大直径高温退火

全选清除导出

共1页<1>

杜娟