周旗钢
- 作品数：75 被引量：162H指数：9
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析被引量：2
- 2007年
- 采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了<100>硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。
- 高宇周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：热应力MM硅单晶
- 外延用300mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究被引量：2
- 2009年
- 研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响。通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生成了高密度的热致微缺陷——体微缺陷(BMDs);B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响,重掺BSi片中出现杆状层错,随着B浓度的增加,层错密度增加,尺寸减小。研究表明,重掺B对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大,而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素。
- 高朝阳周旗钢戴小林崔彬韩海建
- 关键词：层错
- Φ200mm硅单晶的生长工艺特点被引量：6
- 1998年
- 在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。
- 张果虎常青方锋吴志强周旗钢
- 关键词：硅单晶半导体
- 硅片近边缘形态的研究进展
- 2024年
- 关于硅片近边缘形态已有的研究主要集中在评价方法、工艺改进以及加工装置上。国际半导体产业协会(SEMI)标准量化评价硅片近边缘形态,约定了有关硅片近边缘卷曲度(ROA)、近边缘曲率、近边缘局部平整度、近边缘不完整区域局部平整度的评价方法,可以依据不同的应用场景选择适合的评价方法来判断近边缘形态。对于硅片近边缘形态的测量手段,可以分为近边缘卷曲(ERO)和近边缘微粗糙度两个方面。探究了抛光工艺和抛光前道制程对硅片近边缘形态的影响:抛光工艺会影响硅片近边缘局部平整度和硅片ROA,通过控制抛光压力、抛光时间和转速等工艺参数以及抛光垫和抛光浆料等工艺耗材可以改善硅片近边缘局部平整度;对于300 mm硅片,通过对抛光垫的改良和创新,设计出双层抛光垫以及3层抛光垫,可以缓解硅片近边缘塌陷。对于200 mm硅片,通过匹配腐蚀工艺和双面研磨工艺有益于改进局部平整度。近边缘形态相关专利主要通过改进工艺流程、引入单面磨削、改变硅片形状来改善硅片近边缘形态。
- 摆易寒周旗钢宁永铎王新张果虎
- 关键词：键合
- 沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响被引量：1
- 2008年
- 研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察。实验结果表明,随着沉积温度的不断升高,多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低,吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度。
- 籍小兵周旗钢刘斌徐继平
- 关键词：沉积温度多晶硅吸杂晶粒
- 60年创业与创新 铸就新的辉煌——记有色金属新材料行业的领航者北京有色金属研究总院
- 2011年
- 材料是人类赖以生存的物质基础，每一种材料的发现和使用，都会把人类支配和改造自然的能力提高到一个新的水平，近代史上出现的2次工业革命都与新材料发展有着密不可分的联系。新材料的开发和应用在国民经济建设和国防建设中有着举足轻重的作用。新材料、新工艺、新装备的不断推陈出新，保证了我国全方位参与国际竞争的实力。
- 周旗钢李东培符子扬
- 关键词：创业领航改造自然
- 300mm双面磨削硅片损伤层厚度检测被引量：3
- 2006年
- 测量300mm双面磨削硅片损伤层厚度,不仅可以为优化双面磨削工艺提供科学依据,并最终可以减少双面磨削损伤层厚度,而且可以有助于减少抛光时间,改善抛光硅片的几何参数。本文应用恒定腐蚀法和双晶衍射法测量了300mm硅片双面磨削工艺后的损伤层厚度,对恒定腐蚀法进行了较深入的研究,并结合恒定腐蚀法的结果对硅片进行双晶衍射。得出以下结论:杨氏腐蚀液因为对缺陷具有良好的择优性能,可以用以损伤层厚度检测。而硝酸腐蚀液因为对缺陷不具有良好的择优性能,因而不能用以损伤层厚度检测;恒定腐蚀法可以粗略测定磨削硅片损伤层厚度,而双晶衍射法可以精确测定磨削硅片损伤层厚度;根据恒定腐蚀法的测试结果来进行双晶衍射,可以减少测试样品的数量,节省试验经费;300mm直拉P型<100>硅片经2000#砂轮双面磨削后的损伤层厚度为12.5μm。
- 陈海滨周旗钢万关良肖清华
- 关键词：双晶衍射
- 2-3微米IC用φ125毫米(5in)硅单晶(片)
- 屠海令张椿尤重远周旗钢常青冯仪朱悟新等
- 1.成果内容简介：集成电路作为战略性的基础工业，其技术水平和产业规模，已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的主要标志。半导硅体材料是集成电路等电子产品的最重要、最基础的功能材料。中国生产的硅单晶及片的直径主要为...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长集成电路材料单晶硅单晶
- 快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响
- 2006年
- 300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NH3混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NH3混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论.
- 冯泉林史训达刘斌刘佐星王敬周旗钢
- 关键词：氧沉淀单晶硅片内吸杂RTA
- 快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响被引量：1
- 2006年
- 研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.
- 张建强刘彩池周旗钢王敬郝秋艳孙世龙赵丽伟滕晓云
- 关键词：CZSI流动图形缺陷
