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冯泉林

作品数：23 被引量：7H指数：2
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 17篇硅片
  • 11篇退火
  • 8篇单晶
  • 5篇单晶硅
  • 5篇硅片表面
  • 5篇300MM硅...
  • 4篇氧沉淀
  • 4篇退火工艺
  • 4篇外延片
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻率
  • 3篇电阻率测量
  • 3篇内吸杂
  • 3篇抛光片
  • 3篇吸杂
  • 3篇高温退火
  • 3篇RTA
  • 3篇氩
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇氮气置换

机构

  • 23篇北京有色金属...
  • 1篇清华大学

作者

  • 23篇冯泉林
  • 9篇周旗钢
  • 5篇闫志瑞
  • 4篇常青
  • 4篇李宗峰
  • 3篇王敬
  • 3篇库黎明
  • 3篇王磊
  • 3篇何自强
  • 2篇肖清华
  • 2篇刘斌
  • 2篇张果虎
  • 2篇赵而敬
  • 2篇李青保
  • 1篇何自强
  • 1篇盛方毓
  • 1篇常麟
  • 1篇刘大力
  • 1篇刘佐星
  • 1篇杜娟

传媒

  • 4篇稀有金属
  • 2篇Journa...
  • 2篇2014`全...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
300mm硅片倒片装置
一种300mm硅片倒片装置，它包括：花篮固定底座1，底座下部设两根导杆6，在导杆轴向的前后位置上各设一个推杆2，推杆的下部设支架，支架上设滑动件，滑动件与导杆上配合，在底座的两种花蓝之间设有两个滑移导轨3，所述花篮固定底...
库黎明闫志瑞冯泉林常青周旗钢
文献传递
高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响被引量：2
2012年
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多。然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10μm。因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小。
李宗峰周旗钢何自强冯泉林杜娟刘斌
关键词：直拉硅单晶大直径高温退火
一种用于N型硅外延片电阻率测量前的表面热处理工艺
一种用于N型硅外延片电阻率测量前的表面热处理工艺，它包括以下步骤：(1)将硅片装入炉腔；(2)以氮气置换系统，抽真空；(3)加热升温至400-600℃；(4)恒温，通入氮气、氧气和水蒸气，该水蒸汽以氮气为载气；在恒温过程...
冯泉林何自强闫志瑞库黎明陈海滨葛钟常青
硅片浅表层损伤缺陷的热演化行为及其表征
本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调整精密加工工艺后的效果，同时开展了浅表层微缺陷的红外消光法、氧化层错试验表征研究，确定了这两种方...
肖清华张果虎冯泉林闫志瑞库黎明
关键词：硅
一种消除硅片表面水雾的低温热处理工艺
一种消除硅片表面水雾的低温热处理工艺，单片处理时，它包括以下步骤：将单片硅片载入炉腔，抽真空，并以氮气置换；以10～30℃/s升温速度升温到100～300℃，并恒温，恒温阶段通入臭氧气体；以10～30℃/s降温速度，降温...
冯泉林何自强闫志瑞常青张果虎周旗钢
一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法及其产品
本发明公开了一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法及其产品。该方法包括：(1)在Ar、NH<Sub>3</Sub>和H<Sub>2</Sub>混合气或N<Sub>2</Sub>、NH<Sub>3</Sub>和H<Sub>...
冯泉林周旗刚王敬刘斌万关良张果虎屠海令
文献传递
一种用于P型硅外延片电阻率测量前的表面热处理工艺
一种用于P型硅单晶外延片测量电阻率前的表面热处理工艺，它包括以下步骤：(1)将硅片装入炉腔；(2)以氮气置换系统，抽真空；(3)加热升温至400-600℃；(4)恒温，通入氮气、氧气和水蒸气，该水蒸汽以氮气为载气；恒温开...
冯泉林何自强闫志瑞库黎明陈海滨盛方毓常青
文献传递
一种消除硅片表面水雾的低温热处理工艺
一种消除硅片表面水雾的低温热处理工艺，单片处理时，它包括以下步骤：将单片硅片载入炉腔，抽真空，并以氮气置换；以10～30℃/s升温速度升温到100～300℃，并恒温，恒温阶段通入臭氧气体；以10～30℃/s降温速度，降温...
冯泉林何自强闫志瑞常青张果虎周旗钢
文献传递
快速退火处理对300mm硅片洁净区和氧沉淀的影响
300mm大直径硅片要求双面抛光，以获得满足集成电路制造要求所需要的平整度。双面抛光工艺的引入使得传统外吸杂工艺面临淘汰，内吸杂工艺将成为300mm大直径硅片制造中常用的吸杂工艺。 本文研究一种新型的内吸杂工艺...
冯泉林
关键词：氧沉淀快速退火原子力显微镜
文献传递
一种检测三氯氢硅纯度的方法及装置
本发明提供一种检测三氯氢硅纯度的方法及装置，方法包括(1)将TCS储液罐中的TCS通过压力差压入缓冲罐，再从缓冲罐通过压力差压入反应罐；(2)TCS在反应罐中与预先加入的水反应，使TCS与水反应生成硅化物和盐酸，同时TC...
冯泉林何自强闫志瑞库黎明索思卓葛钟常青
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