何自强
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究被引量：2
- 2010年
- 利用应用材料公司外延设备,在Si（001）衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数,研究了运用RPCVD方法制备的应变SiGe外延层的生长特性以及薄膜特性。结果表明,在660℃所生长的薄膜,其XRD图像均出现了Pendelossung条纹,表明薄膜质量较好。Ge摩尔分数高达16.5%。薄膜表面粗糙度RMS在0.3~0.6 nm。
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- 关键词：锗硅表面粗糙度生长速率
- 高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响被引量：2
- 2012年
- 研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多。然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10μm。因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小。
- 李宗峰周旗钢何自强冯泉林杜娟刘斌
- 关键词：直拉硅单晶大直径高温退火
- 快速退火气氛对硅片洁净区和表面形貌的影响
- 2008年
- 使用N2和N2／NH3混合气氛作为快速热退火（RTA）气氛，研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响。在N2／NH3混合气氛下，RTA处理后，硅片表面出现小坑，同时，微粗糙度增加，后续热处理工艺中会出现薄的洁净区（～10μm）和高密度的氧沉淀。经过N2气氛RTA处理的硅片，表面微粗糙度变化不大，后续热处理中获得较厚的洁净区（≥40μm）和较低的氧沉淀密度。
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- 关键词：单晶硅片氧沉淀内吸杂快速热退火
- 300mm Si外延片表面颗粒缺陷的研究被引量：3
- 2012年
- 研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带;较高的拉晶速率下,外延片表面的环形缺陷带消失。利用Femag-CZ软件模拟了不同速率下晶体的生长结果,结合其ci-cv分布图,分析出这种环状分布的颗粒缺陷是由于晶体中间隙原子富集区产生的微缺陷,在外延过程中(1050℃)聚集长大,从而在界面处造成晶格畸变引起的。随着衬底拉速的降低,间隙原子富集区的面积增大,硅片外延后越容易出现环状分布的颗粒缺陷。因此在单晶拉制过程中,为了避免这种环状缺陷的产生,应适当提高晶体的拉速。
- 刘大力冯泉林周旗钢何自强常麟闫志瑞
- 关键词：SP1拉速
