常麟
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 300mm直拉硅单晶生长过程中微缺陷的数值分析
- 超大规模集成电路的高速发展对硅单晶材料提出了愈来愈严格的要求,“大直径,无缺陷”成为目前硅单晶材料发展的趋势。大直径硅片极大的降低了IC制造的生产成本,但在大直径直拉硅中形成的微缺陷会影响金属-氧化物-半导体(MOS)器...
- 常麟
- CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟被引量：9
- 2011年
- 利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大,晶体熔体固液界面氧浓度均逐渐降低。随着通电线圈距离和半径的增大,硅熔体径向磁场强度逐渐增大,对坩埚底部熔体向晶体熔体固液界面处对流的抑制作用加强,固液界面下方熔体轴向流速减小,使得从坩埚底部运输上来的富氧熔体减少,继而固液界面处的氧浓度降低。随着线圈距离和半径的增大,为保持所需磁场强度,施加电流也逐渐增大,从而能耗增大,与增大通电线圈距离相比,增大通电线圈半径所需的电流较大。通过实验,将CUSP磁场对单晶中氧浓度分布影响的数值模拟结果与实际晶体生长进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果。
- 常麟周旗钢戴小林鲁进军卢立延
- 关键词：直拉硅单晶氧浓度有限元分析数值模拟
- 300mm Si外延片表面颗粒缺陷的研究被引量：3
- 2012年
- 研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带;较高的拉晶速率下,外延片表面的环形缺陷带消失。利用Femag-CZ软件模拟了不同速率下晶体的生长结果,结合其ci-cv分布图,分析出这种环状分布的颗粒缺陷是由于晶体中间隙原子富集区产生的微缺陷,在外延过程中(1050℃)聚集长大,从而在界面处造成晶格畸变引起的。随着衬底拉速的降低,间隙原子富集区的面积增大,硅片外延后越容易出现环状分布的颗粒缺陷。因此在单晶拉制过程中,为了避免这种环状缺陷的产生,应适当提高晶体的拉速。
- 刘大力冯泉林周旗钢何自强常麟闫志瑞
- 关键词：SP1拉速
