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杨巍

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇气相外延
  • 1篇氢化物气相外...
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇HVPE
  • 1篇表面形貌
  • 1篇衬底
  • 1篇成核

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇赖占平
  • 1篇徐永宽
  • 1篇严如岳
  • 1篇程红娟
  • 1篇于祥潞
  • 1篇杨巍

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究被引量：3
2008年
通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌。发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN。其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 nm。
徐永宽程红娟杨巍于祥潞赖占平严如岳
关键词：氮化镓氢化物气相外延表面形貌
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