于祥潞
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究被引量：3
- 2008年
- 通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌。发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN。其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 nm。
- 徐永宽程红娟杨巍于祥潞赖占平严如岳
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延表面形貌
- HVPE法生长AlN薄膜材料被引量：2
- 2010年
- 利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,但由于生长温度低,AlN生长均为岛状生长模式。在生长速率较快时,AlN薄膜是以〈0001〉AlN为主的AlN多晶;而在较低生长速率下,得到的AlN薄膜由为〈0001〉取向的AlN岛组成。试验还发现:用Ar作载气更有利于AlN晶核的横向生长,用N2作载气则有相对高得多的AlN成核密度。
- 徐永宽李强程红娟殷海丰于祥潞杨丹丹刘金鑫岳洋张峰
- 关键词：氮化铝载气蓝宝石衬底X射线衍射
