赖占平
- 作品数：19 被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 热处理中As压对半绝缘GaAs缺陷的影响被引量：1
- 2002年
- 在 95 0°C和 1 1 2 0°C温度下 ,对非掺杂半绝缘 LECGa As进行了不同 As气压条件下的热处理 ,热处理的时间为 2～ 1 4小时。发现不同 As压条件下的热处理可以改变 Ga As晶片的化学配比 ,并导致本征缺陷和电参数的相应变化。在 95 0°C和低 As气压条件下进行 1 4小时热处理 ,可在样品体内 (表面 1 5 0 μm以下 )引入一种本征受主缺陷 ,使电阻率较热处理前增加约 5 0 % ,霍尔迁移率下降 70 %。这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了 As间隙原子的外扩散。提高热处理过程中的 As气压可以抑制这种本征受主缺陷的产生。真空条件下在 1 1 2 0°C热处理 2～ 8小时并快速冷却后 ,样品中的主要施主缺陷 EL2浓度约下降一个数量级 ,提高热处理过程中的 As气压可以抑制 EL2浓度下降。这种抑制作用是由于在高温、高 As气压条件下 。
- 杨瑞霞赖占平
- 关键词：半绝缘GAAS本征缺陷
- SI-GaAs材料的电学补偿被引量：4
- 1999年
- 研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳熔体剂量比．并将近本征半导体的物理模型推广至半绝缘砷化镓单晶，得到了较理想的电阻率范围．
- 赖占平齐德格高瑞良杜庚娜刘晏凤刘建宁
- 关键词：SI-GAAS材料电学补偿砷化镓半导体材料
- 6英寸LEC半绝缘砷化镓单晶材料研制
- 本文对6英寸砷化镓单晶材料研制项目的进展情况及研制过程中解决的关键技术做了比较全面的说明，文中还提出了实现6英寸砷化镓材料的产业化的主攻方向和目前存在的一些技术问题。
- 高瑞良赖占平齐德格周春锋刘晏凤杨连生
- 关键词：半绝缘砷化镓单晶材料
- 文献传递
- SI-GaAs材料的电学补偿
- 了HPLEC工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响。由n型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳...
- 赖占平齐德格
- 关键词：SI-GAAS材料电学补偿
- m面AlN单晶自发成核生长表征
- 2019年
- 采用金属系统物理气相传输(PVT)法自发成核方式,生长获得长宽均大于1 cm、厚度为毫米量级的m面AlN单晶块体。通过对不同m面AlN单晶生长宏观形貌、微观表面的测试分析,初步可判定其生长存在单核生长和多核生长两种模式。并将m面AlN晶体生长过程分为3个阶段,分别为生长中心形成阶段、生长阶段和生长台阶并组阶段。第一性原理计算表明,每生长一层(4个)Al-N基元的m面和c面AlN晶体释放的能量分别为2.76 eV和8.64 eV,通过对衬底厚度的调节可以初步控制m面AlN晶体的成核概率。以此为依据进行m面AlN单晶接长实验,获得了12 mm×20 mm尺寸的m面AlN单晶,最大厚度达5 mm,为进一步籽晶生长和器件制备提供技术及理论基础。
- 程红娟金雷史月增赵堃张丽齐海涛赖占平
- 关键词：表面形貌自发成核
- LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制被引量：8
- 2007年
- 在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。
- 周春锋林健郭鑫吴元庆张亮赖占平
- 关键词：砷化镓碳硼
- 二维辉钼材料及器件研究进展被引量：7
- 2013年
- 经过几十年的发展,集成电路的特征尺寸将在10—15年内达到其物理极限,替代材料的研究迫在眉睫.石墨烯曾被寄予厚望,但由于其缺乏带隙限制了在数字电路领域的应用.近年来,单层及多层辉钼材料由于具有优异的半导体性能,有可能超过石墨烯成为硅的替代者而引起了微纳电子领域的广泛关注.本文对近二年国际上辉钼半导体器件研制、辉钼半导体材料的性能表征及制备方法研究等方面的进展进行了综述,并对大面积单层材料的研制提出了值得关注的方向.
- 赖占平
- 关键词：MOS2纳米材料集成电路
- 蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究被引量：3
- 2008年
- 通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌。发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN。其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 nm。
- 徐永宽程红娟杨巍于祥潞赖占平严如岳
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延表面形貌
- 空心球陶瓷粉填充PTFE基复合基板的制备及性能被引量：4
- 2021年
- 为制备低介电常数低损耗微波复合介质基板材料,采用压延工艺,以空心球陶瓷粉为填料制备了聚四氟乙烯(PTFE)基复合基板,系统研究了空心陶瓷粉含量对PTFE基复合基板微观结构和综合性能的影响。结果表明,随空心球陶瓷粉含量的增加,PTFE基复合基板材料断面形貌出现空心球破碎的现象,相对密度逐渐降低,介电常数和介电损耗先降低后升高,吸水率逐渐升高,抗剥离强度呈现下降趋势。当空心球陶瓷粉质量分数为31.3%时,空心结构完整,PTFE基复合基板介质层的密度为1.302 g/cm^3;相对介电常数和介电损耗均最小,分别为1.9659和6.06×10^-4;吸水率为0.2%,抗剥离强度为2.725 N/mm。
- 贾倩倩赖占平李强张立欣魏西
- 关键词：聚四氟乙烯介电性能
- 影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究被引量：1
- 2000年
- 高度PLmapping均匀的SI GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底。本工作对影响SI GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究。发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PLmapping均匀性都有一定的影响 ;而晶体的AB EPD和抛光工艺对PLmapping均匀性影响更大 ,AB EPD与热处理工艺有关。对实验现象进行了解释。
- 赖占平齐德格高瑞良杜庚娜刘晏凤刘建宁
- 关键词：砷化镓单晶均匀性抛光片集成电路
