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徐永宽

作品数：36 被引量：42H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 11篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 9篇气相外延
  • 8篇HVPE
  • 7篇晶体
  • 7篇GAN
  • 7篇衬底
  • 6篇氮化镓
  • 6篇氢化物气相外...
  • 5篇DAST
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 3篇单晶
  • 3篇抛光
  • 3篇4H-SIC
  • 2篇氮化
  • 2篇导模法
  • 2篇对甲苯磺酸
  • 2篇衍射
  • 2篇有机非线性光...
  • 2篇载气
  • 2篇射频溅射

机构

  • 32篇中国电子科技...
  • 3篇河北工业大学
  • 3篇天津大学
  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇南开大学
  • 1篇深圳大学
  • 1篇第三军医大学...

作者

  • 36篇徐永宽
  • 24篇程红娟
  • 8篇张嵩
  • 7篇杨丹丹
  • 7篇孟大磊
  • 6篇史月增
  • 6篇庞子博
  • 5篇齐海涛
  • 5篇李晖
  • 5篇武聪
  • 4篇高飞
  • 4篇练小正
  • 4篇郝建民
  • 3篇刘金鑫
  • 3篇张丽
  • 3篇杨瑞霞
  • 3篇洪颖
  • 3篇金雷
  • 2篇徐所成
  • 2篇王如

传媒

  • 6篇微纳电子技术
  • 5篇半导体技术
  • 3篇功能材料
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇压电与声光
  • 2篇第十六届全国...
  • 2篇2014`全...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇天津科技
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇波谱学杂志
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇红外技术
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微波学报
  • 1篇炭素技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
射频溅射ZnO作为GaN厚膜生长缓冲层的工艺研究
2011年
采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能。实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带。
王如杨瑞霞张俊玲徐永宽
关键词：晶格失配射频磁控溅射
蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究被引量：3
2008年
通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌。发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN。其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 nm。
徐永宽程红娟杨巍于祥潞赖占平严如岳
关键词：氮化镓氢化物气相外延表面形貌
基于DAST晶体的高能量超宽带可调谐小型化差频THz辐射源研究被引量：1
2019年
基于双温区法生长的高质量 DAST(4 (4 二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯酸盐)晶体成功搭建了高能量、超宽带可调谐差频THz辐射源系统尺寸40cm×25cm 调谐范围达到0.3~19.6THz 最大输出能量达到4.02μJ/pulse@18.6 THz 信噪比最高达到32.24 dB 结合振镜扫描技术以0.1 THz为步长超宽带光谱扫描时间小于1 min.实验中观测到差频产生 THz 波的输出饱和现象并研究了基于 DAST 晶体差频产生 THz 波的偏振特性与传输特性证明基于 DAST 晶体差频产生的 THz 波消光比达到 0.05 且差频过程满足 0 类相位匹配条件.基于该太赫兹辐射源对多种固体样品在 2 ~14 THz 范围内的超宽带 THz 光谱信息进行了有效获取.
贺奕焮庞子博朱先立徐德刚王与烨孟大磊孟大磊武聪徐永宽徐永宽
关键词：DAST晶体
HVPE生长基座结构优化被引量：1
2014年
GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响。我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布。根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比。结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好。本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义。
程红娟张嵩徐永宽郝建民
关键词：GANHVPE衬底
不同颜色AlN单晶缺陷研究被引量：3
2018年
通过物理气相传输(PVT)法在石墨系统中制备了绿色、无色和琥珀色氮化铝(Al N)单晶,在金属系统中制备了琥珀色Al N单晶。晶体中杂质含量测试结果表明石墨系统中琥珀色的Al N晶体比绿色和无色Al N晶体C、Si杂质含量低1~2个数量级,金属系统中琥珀色Al N晶体杂质含量最低,C、Si、O元素含量均在1018cm-3级别。Al N晶体的吸收图谱和光致发光图谱的分析结果表明,Al N晶体存在着位于4.7 e V、3.5 e V、2.8 e V、1.85 e V的4个吸收峰,其中4.7 e V和3.5 e V的吸收峰导致了Al N吸收截止边的红移,该吸收峰分别源于碳占氮位(CN)的点缺陷和VAl与O杂质的复合缺陷,2.80 e V的吸收峰导致了Al N晶体的琥珀色,该吸收峰是C元素和O元素共同导致的,1.85 e V的吸收峰导致了Al N晶体的绿色,该吸收峰是Si元素和C元素导致的。
徐永宽金雷程红娟史月增张丽齐海涛
K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响
2015年
采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl进行掺杂。显微观察显示,掺杂KCl后Cd S晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中。红外光谱透过率发现掺杂K元素的Cd S晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~10μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%。另外,K元素掺杂Cd S晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/（V·s）下降为146 cm2/（V·s）。
练小正齐海涛张颖武司华青程红娟徐永宽
关键词：硫化镉单晶
β-Ga_2O_3体单晶X射线光电子能谱分析
2019年
通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga_2O_3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga_2O_3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga_2O_3薄膜及单晶材料的报道结果,进一步确认β-Ga_2O_3体单晶特征峰峰值。同时,通过对各峰强度的变化进行对比分析,对次峰产生的原因进行推测,获得Si掺杂及退火对晶体表面及晶体内部个特征峰的变化规律。
程红娟张胜男练小正金雷徐永宽
关键词：导模法
DAST源粉表征与晶体制备
2015年
通过X射线粉末衍射、核磁共振波谱法对制得的DAST源粉进行表征,确证其分子结构并计算出源粉纯度为99.7%。然后使用该DAST源粉配制其甲醇溶液,并利用溶液降温法通过自发成核过程培养出尺寸为(2~3)mm×(2~3)mm×(0.3~0.5)mm的DAST晶体。
庞子博孟大磊窦瑛程红娟徐永宽
关键词：太赫兹DAST晶体
MPCVD法同质外延生长单晶金刚石技术概述
2015年
单晶金刚石具有极其优异的性质,如高热导率、高载流子迁移率和高的击穿电压,是制作高可靠性、高稳定性微波功率器件和探测器的理想材料,金刚石基器件可以应用于高温、高功率、强辐射的恶劣环境中。针对金刚石在电学领域与探测领域的潜在应用价值,发展高品质金刚石单晶生长技术尤为重要,而金刚石应用的首要问题是解决单晶和成本的问题。微波等离子化学气相沉积是实现低成本、大尺寸单晶金刚石生长的有效技术。对于如何提高单晶金刚石的生长速率,如何获得高质量、大尺寸单晶金刚石的问题,本文阐述了国内外微波等离子化学气相沉积法同质外延生长单晶金刚石技术研究方面取得的重要突破,详细介绍了提高MPCVD单晶金刚石沉积速率、金刚石晶片剥离技术、金刚石晶体三维生长扩大尺寸、金刚石单晶"马赛克"生长技术。
陈建丽张嵩程红娟徐永宽
关键词：微波等离子体化学气相沉积单晶金刚石
DAST晶体的生长与表征被引量：4
2017年
根据实验获得的亚稳区范围为指导,采用籽晶-溶液降温法进行对4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐(DAST)晶体的生长,获得了2颗尺寸较大的DAST晶体。X线衍射(XRD)图谱分析发现有较强的(004)面和(006)面的特征峰,光致发光谱(PL)测试发现573.5nm处存在N(CH3)2基团产生的特征峰,601.6nm处存在二甲胺基和磺酸盐基分子间电荷转移过程产生的特征峰,647nm存在由烯双键产生的特征峰,通过晶体的XRD、PL光谱测试,证实了实验制备的晶体为DAST晶体。同时,还测试了晶体的维氏硬度,以及使用原子力显微镜(AFM)及微分干涉显微镜对晶体的表面形貌进行了观测。
武聪孟大磊庞子博徐永宽程红娟
关键词：表面形貌
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