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以工艺为主线的MEMS设计工具IMEE被引量：2: 2003年; IMEE是一个自主研发的MEMMS CAD 系统,它包括结点化的系统设计功能、快速的力电耦合性能分析功能、参数化版图单元的版图设计功能、工艺编辑设计和三维模拟功能等。该系统的最大特点是以工艺为主线,贯穿整个设计过程,重点解决MEMS设计与工艺脱节的问题,实现MEMS工艺设计和在线模拟。另外,该系统是跨平台的,适用于UNIX和Windows操作系统,兼容其他MEMS CAD软件,还支持用户自主扩展其他功能模块。; 郝一龙张海霞郭辉肖志勇周荣春; 关键词：MEMS CAD 系统设计版图设计三维模拟

PECVD SiC材料刻蚀技术: 2006年; 通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.; 陈晟李志宏张国炳郭辉王煜田大宇; 关键词：PECVD 碳化硅反应离子刻蚀氢含量功率

从不纯样品的光谱中提取单一组分和结构的拉曼谱被引量：3: 2007年; X射线衍射谱和拉曼光谱均证实所用的SiC和GaN样品为不纯的非晶样品。通过新采取的减去经加权的“杂质”光谱的方法,从不纯的非晶样品的拉曼光谱中获取了纯非晶SiC和GaN的拉曼光谱,并由理论计算的声子态密度与减去“杂质”光谱的拉曼光谱很好相符,进一步证实减去“杂质”光谱的拉曼光谱确实是非晶拉曼光谱,从而表明新采用的扣除加权“杂质”光谱的方法是正确和具有广泛应用价值的。; 高敏刘伟杨军涛张树霖郭辉张国义; 关键词：拉曼光谱

MEMS CAD系统IMEE的研究和开发被引量：13: 2003年; IMEE是一个自主研发的MEMSCAD系统 ,它包括节结点化的系统设计功能、工艺编辑、设计和三维模拟功能、参数化版图单元的版图设计功能等。该系统的最大特点是以工艺为主线 ,贯穿整个设计过程 ,重点解决MEMS设计与工艺脱节的问题 ,实现MEMS工艺设计和在线模拟。另外 ,该系统是跨平台的 ,即适用于UNIX也适用于WINDOWS操作系统 ,对其他MEMSCAD软件具有很好的兼容性 ,还支持用户自主扩展其他功能模块。; 张海霞郭辉肖志勇周荣春郝一龙; 关键词：MEMS 微电子机械系统 CAD系统操作系统

SiC薄膜制备MEMS结构: 本文采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构.对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐...; 王煜郭辉张海霞田大宇张国炳李志宏; 关键词：SIC薄膜 MEMS 谐振器; 文献传递

集成化MEMS工艺设计技术的研究被引量：10: 2004年; 针对目前MEMS研究领域中普遍存在的器件设计与加工工艺脱节的问题 ,提出了一种集成化的MEMS工艺设计技术 ,即在器件设计的过程中充分考虑加工工艺的特点和制约 ,提高器件的工艺设计能力和效率 .这种工艺设计方法以结构材料、反应材料、工艺设备和环境限制的数据库为基础 ,从工艺过程为结构材料和反应物之间的物理或化学反应的角度出发 ,提炼出了工艺设计规则 ;在设计过程中 ,结合版图尺寸和具体的工艺参数 ,对工艺过程中器件结构二维断面上的所有结构材料的状态和图形进行计算和记录 ,并以此信息为依据结合设计规则判断工艺流程的合理性 ,并把相应的工艺信息、材料信息等代入器件的结构分析中去 ,实现MEMS器件的集成化工艺和结构设计 .最后三维可视化设计工具IMEE1.0实现了集成化的设计技术 ,并通过对一个结构比较复杂的气体传感器进行设计和制作 ,验证了这种集成化工艺设计技术的可行性和实用性 .; 张海霞郭辉张大成徐嘉佳郝一龙; 关键词：MEMS器件版图集成化气体传感器数据库

PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究被引量：2: 2005年; 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护.; 郭辉王煜张海霞田大宇张国炳李志宏; 关键词：微机电系统碳化硅应力离子注入抗腐蚀

SiC薄膜制备MEMS结构被引量：2: 2005年; 采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性。对SiC材料的力学特性进行了研究。深入探讨了退火工艺、薄膜硅碳原子比对SiC薄膜力学特性的影响,同时对薄膜硅碳原子比与制备工艺参数(包括硅烷、甲烷流量)之间的关系进行了实验研究。; 王煜郭辉张海霞田大宇张国炳李志宏; 关键词：SIC MEMS 谐振器

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郭辉