王煜
- 作品数：13 被引量：4H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术环境科学与工程理学更多>>
- PECVD SiC材料刻蚀技术
- 2006年
- 通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.
- 陈晟李志宏张国炳郭辉王煜田大宇
- 关键词：PECVD碳化硅反应离子刻蚀氢含量功率
- 美国总统竞选的政治公关策略分析——以2004年大选为例
- 在现代社会，规模最大也是最典型的一项政治公关活动就是美国总统选举。它是政党、政府及所有政治行动者为求达到目的而进行的传播活动。从本质上说，也是一个运用各种策略和手段，为大众设置议题，从而促使其接受议题、按议题行动的过程，...
- 王煜
- 关键词：公关策略
- 界面反应生长及铝热法制备低维功能纳米材料
- 纳米材料的控制合成是纳米科学与技术的发展基础，纳米材料的功能化是纳米材料应用的前提。本论文提出并利用界面反应生长和铝热法制备出一系列的纳米功能材料。主要结果归纳如下：
利用表界面反应生长在阳极氧化铝模板(AAO...
- 王煜
- 关键词：铝热法光致发光材料纳米功能材料
- PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究
- 运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改变关键工艺参数,如气体流量,功率等,研究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜。研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将...
- 郭辉王煜张海霞田大宇张国炳李志宏
- 关键词：微机电系统碳化硅应力离子注入抗腐蚀
- 文献传递
- PECVD SiC薄膜的制备、应力控制与力学特性研究
- 本文采用PECVD方法进行了SiC的薄膜制备,利用俄歇分析(AES)、X光衍射测试(XRD)、傅利叶红外吸收技术(FTIR)等分析了SiC薄膜的组分和结构组成.利用应力仪和纳米硬度计进行测试,以获取薄膜的力学参数,如应力...
- 王煜张海霞田大宇李素兰张国炳郝一龙
- 关键词：SIC薄膜折射率残余应力应力控制力学特性
- 文献传递
- PECVD SiC MEMS谐振器研究
- 针对常用的硅基MEMS器件难以在高温、高压、腐蚀性等条件下正常工作的情况，本文开发了适用于恶劣环境的碳化硅MEMS谐振器。
本文利用PECVD手段制备碳化硅薄膜，其低温特性使工艺易于与CMOS工艺集成。
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- 王煜
- 关键词：微电子机械系统
- 文献传递
- SiC薄膜制备MEMS结构被引量：2
- 2005年
- 采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性。对SiC材料的力学特性进行了研究。深入探讨了退火工艺、薄膜硅碳原子比对SiC薄膜力学特性的影响,同时对薄膜硅碳原子比与制备工艺参数(包括硅烷、甲烷流量)之间的关系进行了实验研究。
- 王煜郭辉张海霞田大宇张国炳李志宏
- 关键词：SICMEMS谐振器
- PECVD SiC材料刻蚀技术研究
- 在MEMS器件中,SiC材料的使用已经越来越广泛,因此形成一套可以满足兼容性和可控性要求的标准工艺显得十分重要.本文通过对PECVDSiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提...
- 陈晟李志宏张国炳郭辉王煜田大宇李素兰边伟
- 关键词：反应离子刻蚀氢含量功率压强刻蚀速率
- 文献传递
- SiC薄膜制备MEMS结构
- 本文采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构.对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐...
- 王煜郭辉张海霞田大宇张国炳李志宏
- 关键词：SIC薄膜MEMS谐振器
- 文献传递
- 政府制定机动车污染防治政策的一般过程
- 随着中国经济、社会全面发展，机动车的保有量迅速增长。机动车不仅给人们带来极大的物质享受，而且还推动了整个国家经济的发展。但与此同时也带来的废气污染与交通堵塞问题。尤其是机动车排放的废气，已经成为国内许多城市的主要空气污染...
- 王煜
- 关键词：机动车废气污染防治政策政府职能过程控制
