田大宇
- 作品数：138 被引量：78H指数：4
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下...
- 樊超于民杨昉东田大宇王金延金玉丰
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- 一种Au-Si键合强度检测结构与试验
- 设计了一种Au-Si键合强度检测结构.通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度;采用同一结构尺寸,可以比较不同条件下键合强度的相对大小;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测...
- 王翔李婷王玮王颖田大宇张大成
- 关键词：共晶键合芯片测试键合强度
- 文献传递
- 一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法
- 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤...
- 刘鹏王玮田大宇姜博岩杨芳戴小涛张大成
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- 3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：2
- 2002年
- 用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的平均击穿场强为 16 7MV/cm ,在恒流应力下发生软击穿 ,平均击穿电荷为 2 7C/cm2 .栅介质厚度相同的情况下 ,P+ 栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+
- 许晓燕谭静荣高文钰黄如田大宇张兴
- 关键词：超薄栅介质软击穿硼扩散
- PECVDSiO_2/Si_3N_4双层膜驻极体性能被引量：1
- 2008年
- 本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中。
- 陈治宇吕知秋张锦文金玉丰李婷田大宇王颖
- 关键词：驻极体PECVD
- 纳米宽度梁结构的制备方法
- 本发明提供一种纳米宽度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：台阶刻蚀、纳米宽度侧墙形成、纳米宽度梁结构形成和纳米宽度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米宽度的梁结构，准确...
- 范炜张大成李婷罗葵田大宇李静王颖
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- 一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法
- 本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式...
- 何军张大成黄贤赵丹淇林琛王玮杨芳田大宇刘鹏李婷罗葵
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- 平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试被引量：2
- 2006年
- 为满足CERN/ALICE超高能重离子对撞实验光子谱仪的需要,首次采用高阻硅材料,并利用一些特殊工艺,研制了用于钨酸铅晶体探测器读出单元的硅光电二极管PIN。PIN的灵敏区面积为16mm×17mm,常温漏电流小于5nA,紫光区量子效率82%,全耗尽结电容为110—120pF。由PIN与电荷灵敏前置放大器组成的读出系统的噪声水平,在-25℃下小于600个等效噪声电荷,并经过了长期性能稳定性的考验。开发研制的大面积PIN硅光管全面达到ALICE/PHOS国际招标所规定PIN硅光管性能的指标。
- 李成波袁坚孟秋英周书华张录张太平宁宝俊田大宇
- 关键词：PIN结电容漏电流量子效率
- 一种利用热驱提取微锚腿扭转键合强度的方法
- 本发明公开了一种提取微锚腿扭转键合强度的方法，通过新设计的片上检测结构中的热驱结构对微锚腿产生扭转作用的力偶矩使锚腿断裂，记录断裂时的驱动位移并计算扭转键合强度值。此方法可用来进行键合工艺的监测和评价，也可用来预测器件的...
- 何军张大成张立杨芳刘鹏王玮李婷罗葵田大宇
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- SiN_x和SiC材料的红外吸收特性研究被引量：2
- 2006年
- 采用LPCVD和PECVD技术制作了不同厚度的SiNx和SiC材料样品,使用傅立叶变换红外光谱仪对其进行了红外吸收特性测试,并通过离子注入的方式对其红外吸收特性进行调节.实验结果表明:LPCVDSiNx材料在8~14μm波段存在吸收峰,而PECVDSiNx和SiC材料在3μm^5μm波段和8~14μm波段存在吸收峰.随着材料厚度的增加,吸收度也增加,1μm厚的LPCVDSiNx,红外吸收度可以达到0.92.离子注入可改变材料的红外吸收能力.
- 王欣于晓梅田大宇
- 关键词：红外LPCVDPECVD离子注入
