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汪子文

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 9篇衬底
  • 5篇绝缘
  • 5篇绝缘体
  • 4篇石墨烯材料
  • 4篇绝缘衬底
  • 4篇长腔
  • 3篇退火
  • 3篇刻蚀
  • 2篇单晶
  • 2篇蒸发
  • 2篇气体
  • 2篇皱褶
  • 2篇褶皱
  • 2篇微波处理
  • 2篇离子注入
  • 2篇纳米
  • 2篇绝缘体上硅
  • 2篇键合

机构

  • 18篇中国科学院
  • 1篇上海新昇半导...

作者

  • 18篇汪子文
  • 15篇薛忠营
  • 13篇狄增峰
  • 13篇张苗
  • 12篇王刚
  • 11篇戴家赟
  • 10篇郑晓虎
  • 7篇王曦
  • 4篇魏星
  • 2篇陈猛
  • 2篇马骏
  • 2篇贾鹏飞
  • 1篇叶林

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 6篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法
本发明提供一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法，包括如下步骤：S1：提供一Ge衬底，对所述Ge衬底进行离子注入；S2：进行退火，使所述Ge衬底中的注入离子至少有一部分析出到所述Ge衬底表面，以增加所述Ge衬底表面的石墨...
狄增峰马骏张苗王刚贾鹏飞汪子文王曦
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纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法
本发明提供一种纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法，制备方法包括：1）提供SGOI衬底，SGOI衬底由下至上依次包括硅衬底、埋氧层及SiGe层；2）刻蚀SiGe层，形成预定尺寸的条状SiGe阵列；3）将步骤2）得到的结构...
狄增峰戴家赟叶林汪子文薛忠营张苗
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一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法
本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同...
狄增峰汪子文戴家赟王刚郑晓虎薛忠营张苗王曦
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一种制备无褶皱的石墨烯的方法
本发明提供一种制备无褶皱的石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：提供一催化基底，在所述催化基底表面预设区域进行离子注入以破坏注入区域的催化性能，并使得所述催化基底表面形成若干分立的未注入单元；S2：将所述催化基底放入生长腔室...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎汪子文薛忠营张苗
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一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法
本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石...
狄增峰马骏张苗薛忠营贾鹏飞汪子文王刚王曦
一种绝缘体上硅的制备方法
本发明提供一种绝缘体上硅的制备方法，在p型掺杂单晶硅外延衬底上形成自下而上叠置的本征硅第一腐蚀停止层、锗硅合金第二腐蚀停止层及硅器件层，经氧化、键合、加固及研磨处理后，进行选择性腐蚀，通过p+/本征硅的选择性腐蚀，将位于...
魏星汪子文戴荣旺
一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法
本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配，实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变，且具有高的电阻率；可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变，灵活操作...
魏星李名浩戴荣旺汪子文薛忠营
一种转移石墨烯的方法
本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营汪子文张苗
一种绝缘体上硅结构及其形成方法
本发明提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，绝缘体上硅结构的形成方法，通过活化处理增加键合工艺时的常温键合强度，降低了后续加固工艺所需的温度，从而降低了所述腐蚀停止层中的异质组分热扩散，保证了所述腐蚀停止层与器件层之间的界...
魏星汪子文戴荣旺陈猛徐洪涛
具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法
本发明提供一种具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法，所述制备方法为以（110）晶面的半导体材料为催化基底，采用化学气相沉积法，通过气态或固态碳源于所述催化基底表面形成具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴。本发明...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营汪子文张苗
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