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薛忠营

作品数：198 被引量：170H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 171篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 44篇电子电信
  • 13篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 3篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 66篇衬底
  • 43篇石墨
  • 42篇石墨烯
  • 35篇绝缘
  • 31篇单晶
  • 31篇绝缘体
  • 31篇半导体
  • 29篇退火
  • 27篇键合
  • 26篇离子注入
  • 23篇弛豫
  • 20篇晶体管
  • 18篇迁移率
  • 18篇晶格
  • 18篇沟道
  • 17篇锗
  • 16篇单晶薄膜
  • 16篇载流子
  • 15篇缺陷密度
  • 15篇晶体

机构

  • 192篇中国科学院
  • 8篇上海新昇半导...
  • 6篇山东大学
  • 5篇上海新傲科技...
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇上海工程技术...
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇兰州大学
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 198篇薛忠营
  • 152篇张苗
  • 139篇狄增峰
  • 72篇陈达
  • 50篇王刚
  • 50篇王曦
  • 42篇母志强
  • 29篇魏星
  • 20篇郑晓虎
  • 19篇戴家赟
  • 19篇郭庆磊
  • 18篇叶林
  • 17篇姜海涛
  • 16篇刘林杰
  • 15篇张波
  • 15篇陈静
  • 15篇汪子文
  • 14篇贾鹏飞
  • 9篇卞剑涛
  • 9篇马骏

传媒

  • 6篇半导体技术
  • 4篇物理学报
  • 4篇功能材料与器...
  • 2篇功能材料
  • 2篇微纳电子与智...
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 7篇2024
  • 7篇2023
  • 10篇2022
  • 12篇2021
  • 11篇2020
  • 12篇2019
  • 8篇2018
  • 15篇2017
  • 17篇2016
  • 27篇2015
  • 15篇2014
  • 18篇2013
  • 14篇2012
  • 11篇2011
  • 8篇2010
  • 4篇2003
  • 2篇2002
共 198 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电极层的制备方法及半导体结构
本发明提供一种电极层的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一电极层及支撑层；将由电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，电极层与目标衬底...
狄增峰刘冠宇薛忠营田子傲张苗
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一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法
本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，所述制备方法包括：步骤1)提供一绝缘衬底；步骤2)于所述绝缘衬底的上表面由下至上依次形成锗层和石墨烯层；以及步骤3)对步骤2)所得结构中的所述锗层进行氧化挥发处理，以去除所...
狄增峰郑鹏荣董林玺薛忠营
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一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法
本发明提供一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法，所述制备方法包括步骤：1）提供一硅衬底，于所述硅衬底表面形成Ge底层；2）在所述Ge底层上生长SiGe/Ge周期结构，最上一层用Ge覆盖；3）于所述SiGe/Ge...
张苗母志强陈达薛忠营狄增峰王曦
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具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法
本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法。根据本发明的方法，先在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>/Ge或Si/Si<Sub>...
张苗陈达薛忠营狄增峰王刚
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一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法
本发明公开了一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜，然后进行退火工艺，使NiAl合金薄膜的Ni原子与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。...
张苗张波薛忠营王曦
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一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法是首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和Ge层，其中，0.223﹤x≤1，并使In<Sub>x<...
张苗刘林杰狄增峰薛忠营陈达卞建涛姜海涛高晓强
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吸附剥离制备绝缘体上材料的方法
本发明提供一种吸附剥离制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：提供一衬底，在其上依次外延掺杂单晶层、超晶格结构层及待转移层；然后进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶层下表面以下预设深度；再提供一表面形成有绝缘层的基板，与...
张苗陈达狄增峰薛忠营王刚郭庆磊母志强孙高迪
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一种降低Si表面粗糙度的方法
本发明提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括Si<Sub>x</Sub>Ge<Sub>1-x</Sub>层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述...
张苗母志强薛忠营陈达狄增峰王曦
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具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法
本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；对衬底进行处理，以于衬底的表面形成一离子膜层；提供一石墨烯层，并转移石墨烯层至离子膜层的表面；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压...
狄增峰贾鹏飞薛忠营孙银波马骏张苗王曦
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一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法
本发明提供一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法，先在Si衬底上外延至少一个周期的Si<Sub>x</Sub>Ge<Sub>1-x</Sub>/Si（0≤x&lt;1）超晶格结构，然后于超晶格结构上依次生长S...
张苗母志强薛忠营陈达狄增峰王曦
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