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王刚

作品数：74 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：创新研究群体科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 72篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 35篇石墨
  • 35篇石墨烯
  • 26篇离子注入
  • 26篇绝缘
  • 24篇绝缘体
  • 20篇单晶
  • 18篇键合
  • 18篇衬底
  • 17篇退火
  • 16篇晶格
  • 14篇单晶薄膜
  • 13篇半导体
  • 12篇离子注入技术
  • 12篇掺杂
  • 10篇锗
  • 9篇退火处理
  • 8篇晶格结构
  • 8篇半导体材料
  • 8篇超晶格
  • 8篇超晶格结构

机构

  • 74篇中国科学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 74篇王刚
  • 73篇狄增峰
  • 73篇张苗
  • 50篇薛忠营
  • 46篇陈达
  • 24篇郑晓虎
  • 24篇母志强
  • 22篇叶林
  • 22篇郭庆磊
  • 16篇戴家赟
  • 13篇王曦
  • 13篇丁古巧
  • 13篇谢晓明
  • 12篇汪子文
  • 8篇马骏
  • 6篇贾鹏飞
  • 4篇陈龙
  • 4篇魏星
  • 4篇李金华
  • 4篇刘宣勇

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 15篇2017
  • 13篇2016
  • 17篇2015
  • 9篇2014
  • 9篇2013
  • 3篇2012
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法
本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同...
狄增峰汪子文戴家赟王刚郑晓虎薛忠营张苗王曦
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一种制备无褶皱的石墨烯的方法
本发明提供一种制备无褶皱的石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：提供一催化基底，在所述催化基底表面预设区域进行离子注入以破坏注入区域的催化性能，并使得所述催化基底表面形成若干分立的未注入单元；S2：将所述催化基底放入生长腔室...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎汪子文薛忠营张苗
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一种褶皱状石墨烯的制备方法
本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营史晓华张苗
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一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法
本发明提供一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一sSOI衬底，在张应变顶层硅表面外延生长一预设Ge组分的单晶SiGe薄膜；所述张应变顶层硅的晶格长度与所述单晶SiGe薄膜的晶格长度相等；S2：在所...
张苗陈达狄增峰叶林王刚郭庆磊母志强
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剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法
本发明提供一种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面外延生长一掺杂单晶层；所述掺杂单晶层厚度大于15nm；S2：在所述掺杂单晶层表面外延生长一单晶薄膜；S3：在所述单晶薄膜...
张苗陈达狄增峰薛忠营王刚母志强陆子同
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基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法
本发明提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。根据本发明的方法，先在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；随后，对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺...
张苗陈达狄增峰薛忠营魏星王刚
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一种去除石墨烯上光刻胶的方法
本发明提供一种去除石墨烯上光刻胶的方法，包括：提供表面具有石墨烯的衬底；在所述石墨烯上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶，并进行需要光刻胶的后续工艺处理；利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶；利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅...
狄增峰贾鹏飞薛忠营郑晓虎王刚马骏张苗王曦
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绝缘体上锗GOI结构的制备方法
本发明提供一种GOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面形成一SiO<Sub>2</Sub>保护层；S2：从所述SiO<Sub>2</Sub>保护层正面进行离子注入，注入深度到达所述...
张苗陈达薛忠营王刚郭庆磊叶林狄增峰
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一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO<Sub>2</Sub>层包裹的锗纳米线阵列；4...
狄增峰叶林许宝建蔡奇王刚张苗
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一种可控石墨烯阵列的制备方法
本发明提供一种可控石墨烯阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底进行小角度键合形成方形网格状的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，利用应力选择性腐蚀，对位错线影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛...
狄增峰陈龙王刚魏星张苗王曦
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