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戴家赟

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇石墨
  • 17篇石墨烯
  • 11篇绝缘
  • 11篇绝缘体
  • 10篇衬底
  • 6篇键合
  • 5篇绝缘衬底
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体材料
  • 4篇石墨烯材料
  • 4篇褶皱
  • 4篇微波处理
  • 4篇长腔
  • 3篇离子注入
  • 3篇刻蚀
  • 2篇蒸发
  • 2篇湿法
  • 2篇体硅
  • 2篇铜镍合金
  • 2篇镍合金

机构

  • 19篇中国科学院

作者

  • 19篇薛忠营
  • 19篇狄增峰
  • 19篇戴家赟
  • 19篇张苗
  • 16篇王刚
  • 16篇郑晓虎
  • 11篇汪子文
  • 5篇王曦
  • 4篇郭庆磊
  • 2篇丁古巧
  • 2篇姜海涛
  • 2篇陈达
  • 2篇谢晓明
  • 2篇马骏
  • 2篇史晓华
  • 2篇贾鹏飞
  • 1篇叶林

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法
本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同...
狄增峰汪子文戴家赟王刚郑晓虎薛忠营张苗王曦
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一种制备无褶皱的石墨烯的方法
本发明提供一种制备无褶皱的石墨烯的方法，包括以下步骤：S1：提供一催化基底，在所述催化基底表面预设区域进行离子注入以破坏注入区域的催化性能，并使得所述催化基底表面形成若干分立的未注入单元；S2：将所述催化基底放入生长腔室...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎汪子文薛忠营张苗
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一种褶皱状石墨烯的制备方法
本发明提供一种褶皱状石墨烯的制备方法，包括：提供一催化基底，将所述催化基底放入生长腔室，往所述生长腔室通入碳源，并将所述催化基底加热至预设温度，在所述催化基底表面生长得到石墨烯；在非氧化性保护气氛下，调节降温速率，使所述...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营史晓华张苗
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一种转移石墨烯的方法
本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营汪子文张苗
纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法
本发明提供一种纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法，制备方法包括：1）提供SGOI衬底，SGOI衬底由下至上依次包括硅衬底、埋氧层及SiGe层；2）刻蚀SiGe层，形成预定尺寸的条状SiGe阵列；3）将步骤2）得到的结构...
狄增峰戴家赟叶林汪子文薛忠营张苗
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一种绝缘体上石墨烯的制备方法
本发明提供一种绝缘体上石墨烯的制备方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯；提供一...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营贾鹏飞张苗
具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法
本发明提供一种具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法，所述制备方法为以（110）晶面的半导体材料为催化基底，采用化学气相沉积法，通过气态或固态碳源于所述催化基底表面形成具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴。本发明...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营汪子文张苗
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一种绝缘体上石墨烯的制备方法
本发明提供一种绝缘体上石墨烯的制备方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge‑H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯；提供一...
狄增峰戴家赟王刚郑晓虎薛忠营贾鹏飞张苗
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一种绝缘体上半导体及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上半导体及其制备方法，先在第一Si衬底上的第一SiO<Sub>2</Sub>层刻出多个孔道，然后选择性外延Ge、Si<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>C<Sub>z</Sub>Sn<...
姜海涛薛忠营狄增峰张苗郭庆磊戴家赟
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一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法
本发明提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上...
狄增峰汪子文戴家赟王刚郑晓虎薛忠营张苗王曦
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