与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度。由于这些优异的特性,SiC IGBT在电力行业有较大的市场需求。基于一款自主研发的15 kV SiC IGBT芯片,测量了芯片的静态特性,搭建了芯片的动态特性测试平台,测量了常温下该15 kV SiC IGBT芯片在2000~9000 V下的动态特性参数,包括开关时间和开关损耗,分析了芯片开关特性参数与外接高压直流源电压的关系,为该型号IGBT芯片性能的进一步改进、优化提供了实验支撑。
