陶永洪
- 作品数：31 被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家电网公司科技项目国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 一种具有整流的碳化硅JFET栅结构的制备方法
- 本发明涉及是一种具有整流作用的碳化硅JFET栅结构的制备方法，包括：1）在第一导电类型衬底上生长第一导电类型层；2）形成PN结；3）通过欧姆退火实现源极和漏极欧姆接触；4）通过整流栅极接触退火间形成整流栅接触。优点：与常...
- 黄润华陶永洪柏松陈刚
- 文献传递
- 耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法
- 本发明是一种耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，该方法包括以下步骤：1）在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层金属，退火后形成欧姆接触；2）在背面欧姆接触上蒸发或者溅射一层阻挡金属；3）在SiC晶片正面涂一层树脂，烘箱高温烘烤...
- 陶永洪柏松
- 文献传递
- 一种碳化硅开关器件及制作方法
- 本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，具体包括在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层；在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第...
- 黄润华陶永洪柏松汪玲
- 文献传递
- 一种变掺杂结终端制备方法
- 本发明公开了一种变掺杂结终端制备方法，通过在介质层表面加工出蚀刻阻挡层，形成了阶梯状介质形貌，再通过离子注入形成了渐变结构的结终端。本发明通过严格控制两层介质的蚀刻速率比，实现了台阶高度的精准控制，避免了由蚀刻速率漂移引...
- 黄润华柏松陶永洪汪玲
- 一种三维电场调制低漏电终端保护结构
- 本发明公开了一种三维电场调制低漏电终端保护结构，包括有源区、器件隔离区，以及位于所述有源区和器件隔离区之间的终端保护区，所述终端保护区具有多个多边形注入区；所述多边形注入区的各边与有源区主结形成一夹角，使得终端保护区的电...
- 黄润华柏松陶永洪汪玲
- 文献传递
- 一种碳化硅开关器件及制作方法
- 本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工，二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度，二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入P...
- 黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李士颜刘昊
- 12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现被引量：2
- 2018年
- 报道了一款阻断能力为12kV的4H-SiC N沟道绝缘栅双极型场效应晶体管(IGBT)。器件为穿通型IGBT,漂移层厚度为120μm,掺杂浓度为2e14cm^(-3);缓冲层厚度为3μm,掺杂浓度为4e16cm^(-3)。为缓解器件主结边缘处的电场集中效应,采用了结终端扩展(JTE)终端结构。流片测试结果表明,栅极电压20V,集电极正向电流为24A/cm^2时,比导通电阻为140mΩ·cm^2。栅极和发射极短接,集电极电压为13kV时,漏电流小于10μA。
- 杨同同陶永洪杨晓磊黄润华柏松
- 关键词：SIC有限元仿真
- 一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法
- 本发明是一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法，包括以下步骤：1）在SiC晶片正面制备一层SiO<Sub>2</Sub>作为保护层；2）在SiC晶片背面制备欧姆接触金属；3）将SiC晶片正面向下放在托盘上，晶片正面保护...
- 李理陈刚柏松陶永洪
- 文献传递
- L波段0.5mm SiC SIT被引量：1
- 2011年
- 作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率密度达到7.55W/cm,功率增益在7.3dB;在1.4GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率率密度达到了4.4W/cm,功率增益在5.76dB。
- 陶永洪柏松陈刚李理李赟尹志军
- 关键词：L波段碳化硅
- 一种变掺杂结终端制备方法
- 本发明公开了一种变掺杂结终端制备方法，通过在介质层表面加工出蚀刻阻挡层，形成了阶梯状介质形貌，再通过离子注入形成了渐变结构的结终端。本发明通过严格控制两层介质的蚀刻速率比，实现了台阶高度的精准控制，避免了由蚀刻速率漂移引...
- 黄润华柏松陶永洪汪玲
- 文献传递
