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陈刚

作品数：36 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇碳化硅
  • 14篇刻蚀
  • 7篇自对准
  • 5篇碳化硅器件
  • 5篇退火
  • 5篇光刻
  • 5篇硅器件
  • 5篇半导体
  • 4篇导电类型
  • 4篇酸性
  • 4篇酸性溶液
  • 4篇碳化
  • 4篇肖特基
  • 4篇硅外延
  • 4篇二极管
  • 4篇干法刻蚀
  • 4篇高温退火
  • 3篇圆片
  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇欧姆接触

机构

  • 36篇中国电子科技...

作者

  • 36篇柏松
  • 36篇陈刚
  • 14篇李理
  • 8篇黄润华
  • 4篇刘奥
  • 4篇王泉慧
  • 4篇刘海琪
  • 4篇陶永洪
  • 4篇汪玲
  • 3篇蒋幼泉
  • 3篇刘昊
  • 2篇董逊
  • 2篇李哲洋
  • 2篇王雯
  • 2篇陈辰
  • 2篇李赟
  • 1篇陈征
  • 1篇冯忠

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2008
  • 1篇2007
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法及系统
本发明公开了一种碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法，还公开了限流保护系统，包括时序控制器、电流检测装置、驱动器、保护开关和计算机。将限流保护过程分成了五个阶段，通过时序控制器控制这五个阶段进行五段式限流，相比传...
刘奥陈刚柏松
一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法
本发明公开了一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法，该结构包括第一导电类型碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的漂移层，以及阳极电极和以及阴极电极，其特征在于，漂移区表面具有第二导电类型主结、位于主结一侧的第二导电类...
黄润华柏松刘奥陈刚
一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法
本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳...
陈刚李理刘海琪柏松
文献传递
碳化硅器件的电学隔离方法
本发明针对现有的碳化硅器件采用的台面隔离所存在的加工困难，成品率低的问题，公开了一种利用离子注入法获得高的电学隔离性能的碳化硅器件的电学隔离方法，它通过光敏薄膜图形划定器件的有源区和非有源区；利用光敏薄膜作掩模对SiC ...
柏松陈刚蒋幼泉
文献传递
一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法
本发明是一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法，包括以下步骤：1）在SiC晶片正面制备一层SiO<Sub>2</Sub>作为保护层；2）在SiC晶片背面制备欧姆接触金属；3）将SiC晶片正面向下放在托盘上，晶片正面保护...
李理陈刚柏松陶永洪
文献传递
一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法
本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳...
陈刚李理刘海琪柏松
一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法
本发明是一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法，包括以下步骤：1）将SiC晶片放在Si片托盘上，然后置入快速热处理装置，同时充入保护气体Ar；2）第一升温阶段、保持温度；3）第二升温阶段，稳定温度阶段8；4）第三升温阶段；...
李理柏松陈刚
一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法
本发明公开了一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法，它是在碳化硅材料上同时设置多个台阶高度监控图形，与待刻蚀图形一起同时刻蚀，并在需要检测刻蚀高度时将其中一个台阶高度监控图形周围的光敏掩膜层去除，从而进行台阶高度的...
陈刚汪玲王泉慧柏松
文献传递
水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究被引量：2
2008年
研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值为4.37%)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。
李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰
关键词：4H-SIC均匀性
用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法
本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法，其工艺包括：一、制成密集台阶结构；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上形成一层金属膜；四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层；五、树脂...
陈刚李理王雯柏松
文献传递
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