丁晓民
- 作品数：24 被引量：50H指数：4
- 供职机构：北京大学东莞光电研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自然科学总论理学电气工程更多>>
- 高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法,采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源,将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上,形成球冠形,再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物,最后用透明树脂常规封装。这种白光...
- 张国义杨志坚丁晓民王宇芳唐英杰李忠辉
- 文献传递
- 高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法，采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源，将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上，形成球冠形，再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物，最后用透明树脂常规封装。这种白光...
- 张国义杨志坚丁晓民王宇芳唐英杰李忠辉
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- 一种制备氮化镓基 LED的新方法
- 本发明涉及一种以氮化镓为基础的Ⅲ－族氮化物半导体材料制备半导体器件的方法。本发明提供了一种将在透明衬底上生长光发射材料所制备的光发射二极管的正面除N－电极以外的全部面积均做为P－电极,相反的背面做为出光面,并且采用倒装焊...
- 张国义丁晓民秦志新
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- 分立晶粒垂直结构的LED芯片制备方法
- 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延...
- 于彤军秦志新杨志坚胡晓东陈志忠祁山陆羽康香宁商淑萍童玉珍丁晓民张国义
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- 国家重点实验室管理工作的趋势及几个关键问题被引量：1
- 1997年
- 国家重点实验室管理工作的趋势及几个关键问题丁晓民北京大学人工微结构和介观物理实验室如何确定国家重点实验室管理工作好坏，怎样使科研管理有效促进‘实验室’研究工作的顺利开展，这其中面临许多课题有待深入探讨。本文仅就‘实验室’自身科研管理的发展趋势及几个关...
- 丁晓民
- 关键词：实验室管理现代化
- 氨热法制备高质量大尺寸块状氮化镓单晶研究
- 宽带隙氮化镓(GaN)单晶材料可应用于制备高频、高功率、耐高温的微电子器件,实现发光波长覆盖整个可见光波段的光电子器件,在航空航天军事领域以及日常照明与显示等商业领域具有巨大的应用前景。目前较成熟的制备GaN材料的氢化物...
- 刘南柳路慧敏丁晓民张国义
- 关键词：微电子器件半导体材料
- 文献传递
- Mn/Sb多层膜的磁性和磁光特性(英文)被引量：1
- 2004年
- 用超高真空蒸发技术在GaAs(10 0 )和玻璃衬底上生长不同厚度Mn/Sb多层膜 ,并经短时间热退火 (～ 1,2 0min) .磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性 .当多层膜厚度从 70 0 增至 16 0 0 时 ,饱和强度增加了近一倍 ,极向和纵向克尔角也增加了 ,但不到一倍 .这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度 ,但不是简单的正比于厚度的关系 .增加Mn/Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角 .X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn/Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长 ,对较厚的多层薄膜 ,热退火的时间可很短(约 1min) .
- 陈辰嘉王学忠蔡明吴克丁晓民孙允希Filippo MagliaA.Stella
- 关键词：铁磁性磁光克尔效应X射线衍射
- InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文)被引量：3
- 2001年
- 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。
- 陈志忠秦志新杨志坚童玉珍童玉珍张国义
- 关键词：INGAN光致发光
- InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究被引量：8
- 1995年
- 利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．
- 章蓓王若鹏丁晓民杨志坚戴伦崔晓明王舒民
- 关键词：微盘激光器半导体激光器异质结
- InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
- 2001年
- 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.
- 陈志忠秦志新杨志坚童玉珍丁晓民张国义
- 关键词：INGAN光致发光
