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童玉珍

作品数：79 被引量：173H指数：5
供职机构：北京大学物理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程农业科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇期刊文章
  • 24篇专利
  • 10篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 36篇电子电信
  • 14篇理学
  • 5篇电气工程
  • 2篇农业科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 26篇发光
  • 16篇氮化镓
  • 16篇GAN
  • 13篇二极管
  • 13篇发光二极管
  • 10篇光谱
  • 10篇MOCVD生...
  • 7篇白光
  • 7篇半导体
  • 7篇MOCVD
  • 7篇INGAN
  • 6篇单晶
  • 6篇光强
  • 6篇光学
  • 5篇单晶薄膜
  • 5篇应力
  • 5篇节律
  • 5篇金属有机物
  • 5篇INGAN薄...
  • 5篇衬底

机构

  • 78篇北京大学
  • 7篇江苏大学
  • 2篇大连理工大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中山大学
  • 2篇北京大学第六...
  • 1篇北京大学第三...
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇东莞理工学院
  • 1篇广东省职业病...
  • 1篇华南师范大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇敦煌研究院
  • 1篇中国航天员科...
  • 1篇佛山市馨园照...
  • 1篇东莞市中镓半...
  • 1篇常州市武进区...
  • 1篇东莞市中实创...
  • 1篇北京大学宽禁...
  • 1篇江苏伯乐达光...

作者

  • 79篇童玉珍
  • 69篇张国义
  • 27篇陈志忠
  • 25篇杨志坚
  • 23篇秦志新
  • 16篇于彤军
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  • 9篇康香宁
  • 8篇丁晓民
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  • 8篇金泗轩
  • 7篇左然
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  • 6篇林亮
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  • 3篇章蓓
  • 3篇何仲恺
  • 3篇李非

传媒

  • 13篇发光学报
  • 7篇Journa...
  • 5篇半导体光电
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇照明工程学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇激光生物学报
  • 1篇物理实验
  • 1篇物理
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国职业医学
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  • 1篇化工进展
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  • 1篇中国科学：技...
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年份

  • 1篇2023
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  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究
测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线,其六个对应区域--反向偏压区、正向漏电流区、产生-复合电流区、扩散电流区、大注入区和串联电阻区,均偏离理想情形:反...
林亮陈志忠童玉珍于彤军秦志新张国义
关键词：氮化镓倒装焊电流电压特性
文献传递
GaN及其三元化合物的MOCVD生长和性质及蓝光LED的研究
GaN及其三元化合物在制备高亮度蓝光、绿光和白光LED，短波长激光器，紫外光探测器和高温电子器件等方面有着广泛的应用，与之相应的物理和技术的研究，开创了第三代半导体材料与器件研究的新领域。　　本论文工作以发展氮化物蓝光L...
童玉珍
关键词：三元化合物蓝光发光二极管
InGaAsSb四元固溶体的团簇效应被引量：1
1994年
在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．
童玉珍杨锡震王占国周伯骏
关键词：半导体材料INGAASSB固溶体
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文)被引量：3
2001年
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。
陈志忠秦志新杨志坚童玉珍童玉珍张国义
关键词：INGAN光致发光
场景化的LED整体照明系统及其特征
本文简述了LED用于照明带来的深刻影响,提出了场景化的整体照明系统概念及其基本内涵,和实现这一概念的LED灯具的发展方向.
童玉珍
关键词：发光二极管半导体照明绿色照明
文献传递
人工LED光源在猪场养殖的应用研究被引量：1
2022年
随着工业化养猪业的兴起和非洲猪瘟等疾病的发生,猪场空气、光照、温湿度等环境因素受到更多关注。但光照对猪的影响往往被忽视。其实光有很好的杀菌效果,而且光能影响动物的新陈代谢、日常行为、生长周期、繁殖性能等,与动物生长发育有直接关系。通常情况下,猪舍光照分为自然光照射和人工补光两种,随着猪场规模化发展及猪瘟的影响,大跨度、全封闭式猪舍越来越多,高密闭性猪舍光源基本依赖于舍内人工照明系统。如何利用LED人工光源调节猪的生长节律,提高生长速率,降低死亡成为行业关注热点。
童玉珍童玉珍陈聪刘涛胡志平
关键词：人工补光繁殖性能生长节律人工照明人工光源LED光源
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
2001年
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.
陈志忠秦志新杨志坚童玉珍丁晓民张国义
关键词：INGAN光致发光
MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究
2001年
利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.
秦志新陈志忠童玉珍陆曙张国义
关键词：INGANMOCVD
一种高亮度近紫外LED及其制备方法
本发明公开了一种高亮度近紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。该LED结构结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n-In<Sub>x1</Sub>G...
贾传宇于彤军殷淑仪张国义童玉珍
蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究被引量：2
2000年
本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜发光特性的分析 ,发现其光致荧光 (PL )谱中 ,与 Zn掺杂有关的发光峰的强度受该生长温度下 Zn在 In Ga N中的溶解度的限制。利用我们的实验方法 ,使得 In Ga N有源区的发光波长在蓝光区内可任意调节 ,并给出了得到的几个典型的荧光谱。
童玉珍李非杨志坚金泗轩丁晓民张国义
关键词：发光性质发光二极管蓝光
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