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秦志新

作品数:122 被引量:179H指数:6
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 60篇专利
  • 33篇期刊文章
  • 29篇会议论文

领域

  • 52篇电子电信
  • 16篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 25篇发光
  • 19篇氮化镓
  • 18篇位错
  • 15篇二极管
  • 14篇激光
  • 13篇发光二极管
  • 13篇ALGAN
  • 13篇ALN
  • 12篇晶体
  • 12篇衬底
  • 11篇欧姆接触
  • 11篇蓝宝
  • 11篇蓝宝石
  • 11篇半导体
  • 10篇深紫外
  • 10篇GAN
  • 9篇电阻
  • 9篇探测器
  • 8篇氮化
  • 8篇光效

机构

  • 122篇北京大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇江苏伯乐达光...

作者

  • 122篇秦志新
  • 81篇张国义
  • 54篇沈波
  • 50篇陈志忠
  • 42篇杨志坚
  • 41篇许福军
  • 41篇于彤军
  • 32篇康香宁
  • 26篇胡晓东
  • 23篇童玉珍
  • 16篇桑立雯
  • 16篇王新强
  • 16篇王嘉铭
  • 12篇章蓓
  • 9篇丁晓民
  • 9篇孙元浩
  • 9篇王明星
  • 8篇解楠
  • 7篇张立胜
  • 6篇胡成余

传媒

  • 18篇发光学报
  • 4篇Journa...
  • 4篇第十四届全国...
  • 4篇第十五届全国...
  • 3篇液晶与显示
  • 3篇半导体光电
  • 3篇第十七届全国...
  • 3篇第十六届全国...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇物理学进展
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第16届全国...
  • 1篇第13届全国...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第九届全国发...

年份

  • 4篇2024
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 9篇2009
  • 16篇2008
  • 10篇2007
  • 12篇2006
  • 5篇2005
  • 8篇2004
122 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
TiAl_3和Ti/TiAl_3非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现被引量:1
2005年
在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl3合金材料作为金属接触电极。在蓝宝石衬底上生长的n型载流子浓度为2×1018cm-3的GaN上,成功地得到低接触电阻的欧姆接触,并由环形传输线模型方法测得比接触电阻率为3×10-5Ω·cm2。与通常n型欧姆接触采用的Ti/Al双层结构比较,TiAl3合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触。在此实验基础上,进一步分析了N空位和界面层处的TiAl3在形成非合金化或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl3/Ni/Au接触结构,在TiAl3合金结构基础上明显地降低了接触电阻率。
明帆林红斌胡成余秦志新陈志忠张国义
关键词:欧姆接触TIAL3反应离子刻蚀比接触电阻率
一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜
一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜。本发明涉及一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法,所述方法包括:制备凹面图形化蓝宝石衬底;在所述衬底上沉积AlN成核层;...
许福军沈波张立胜王明星国唯唯解楠孙元浩秦志新
文献传递
一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括:在化学气相沉积法制备AlGaN过程中,对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制,得到具有周期变化的Al<Sub>x</Sub>Ga<S...
许福军沈波王明星解楠孙元浩刘百银王新强秦志新
文献传递
大功率白光LED的制备和表征被引量:32
2004年
用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 2 0 0mA仍没有出现饱和或下降的趋势 ,白光的色温从 5 30 0K下降至 4 80 0K。
陈志忠秦志新胡晓东于彤军杨志坚章蓓姚光庆邱秀敏张国义
关键词:白光发光二极管荧光粉电流扩展光功率
一种倒装LED芯片的封装方法
本发明的目的是提供一种倒装LED芯片的封装方法,提高LED外量子效率。利用高热导率的Al、Cu,直接与芯片键合,降低封装热阻,同时降低flip-chip封装的成本。本发明利用厚Cu及Au凸点把倒装焊芯片与Al印刷电路板直...
陈志忠康香宁秦志新张国义
文献传递
AlXGa1-zN/GaN异质结构中二维电子气的塞曼自旋分裂
本文通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰...
唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义
关键词:二维电子气
文献传递
一种边发射型LED封装结构
本发明公开了一种边发射型LED的封装结构,包括LED芯片、基座、旋转抛物面的反光碗、透明介质支撑结构、锥顶角为θ的倒圆锥形结构、倒圆锥形结构表面的反光层,其中:所述旋转抛物面的反光碗位于基座内,所述LED芯片固定在反光碗...
张国义易业文陈志忠于彤军秦志新
文献传递
自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法
本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术,以提高激光器腔镜面的光学质量,减小光学损耗,改善散热效率,达到减小激光器的阈值电流密度,提高器件的综合性能指标的目...
康香宁胡晓东王琦章蓓杨志坚徐科陈志忠于彤军秦志新张国义
文献传递
圆锥反光面与抛物面反光面组成的边发射型LED及其在LCD背光源中的应用被引量:2
2008年
设计了一种边发射型的白光LED封装结构,通过全反射和反光镜的反射使LED发出的光由两侧出射,并且可以通过调节锥形反光镜的锥顶角来控制光强角分布中峰值的位置。利用光路追迹软件对所设计的结构进行模拟,并将所设计的边发射型LED用于直下式背光源中。通过对模拟结果的分析,当背光源灯箱大小为228mm×150mm,灯箱厚度在20~30mm时,均匀度可以达到85%以上。利用具有表面布点的导光板结构,使侧向出射的光线经过导光板底面的锥形网点时,经历一次折射和一次全反射。这样将侧向出射的光线导向正向出射,提高了背光源正向的亮度。
易业文陈志忠于彤军秦志新何仲恺张国义
关键词:均匀性导光板
光线追迹法分析紫外线发光二极管的出光效率
魏伟秦志新张国义
共13页<12345678910>
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