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杨志坚

作品数：174 被引量：183H指数：8
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 72篇专利
  • 58篇期刊文章
  • 40篇会议论文
  • 4篇学位论文

领域

  • 70篇电子电信
  • 34篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学

主题

  • 40篇发光
  • 34篇GAN
  • 30篇氮化镓
  • 26篇二极管
  • 23篇激光
  • 23篇发光二极管
  • 21篇半导体
  • 20篇位错
  • 17篇衬底
  • 15篇外延层
  • 15篇晶体
  • 15篇白光
  • 14篇激光器
  • 13篇晶体质量
  • 13篇光电
  • 13篇MOCVD
  • 11篇欧姆接触
  • 11篇厚膜
  • 10篇导体
  • 9篇退火

机构

  • 174篇北京大学
  • 8篇中国科学院
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 174篇杨志坚
  • 145篇张国义
  • 57篇于彤军
  • 44篇胡晓东
  • 42篇秦志新
  • 41篇沈波
  • 33篇陈志忠
  • 30篇许福军
  • 25篇童玉珍
  • 24篇章蓓
  • 22篇康香宁
  • 19篇方浩
  • 17篇桑立雯
  • 17篇王新强
  • 16篇李丁
  • 15篇丁晓民
  • 14篇陶岳彬
  • 14篇杨学林
  • 13篇吴洁君
  • 13篇陆羽

传媒

  • 19篇发光学报
  • 16篇Journa...
  • 5篇第十四届全国...
  • 5篇第十六届全国...
  • 4篇第13届全国...
  • 3篇高技术通讯
  • 3篇半导体光电
  • 3篇第十五届全国...
  • 3篇中国有色金属...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇北京大学学报...
  • 2篇物理
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇稀有金属
  • 2篇液晶与显示
  • 2篇第十七届全国...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 6篇2013
  • 8篇2012
  • 10篇2011
  • 8篇2010
  • 15篇2009
  • 16篇2008
  • 20篇2007
  • 16篇2006
  • 7篇2005
  • 8篇2004
  • 6篇2003
  • 6篇2002
共 174 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种GaN衬底的制备方法
本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaA...
于彤军龙浩张国义吴洁君贾传宇杨志坚王新强
文献传递
一种单芯片白光发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光...
杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁张国义
文献传递
Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures
2006年
Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases （2DEG） in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields. It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility.
唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩
一种III族氮化物外延薄膜及其选区生长方法
本发明公布了一种III族氮化物外延薄膜及其选区生长方法，在图形化衬底的图形上方以转移的碳纳米管作为位错截止层，利用有周期性的碳纳米管阵列制备具有空间结构的复合衬底，通过一次生长完成微米图形诱导位错弯曲的过程和纳米多孔层实...
于彤军李孟达王昆杨志坚张国义
湿法腐蚀对GaN基垂直结构LED性能的影响
本文研究了利用热的纯磷酸溶液腐蚀GaN基垂直结构LED产生的影响.利用MOCVD在蓝宝石上生长LED结构,然后通过键合和激光剥离技术将外延层转移到钨铜衬底上并去掉蓝宝石衬底,露出N极性GaN.LED芯片的大小为1000×...
马健于彤军张国义陈志忠朱威頔姜显哲姜爽李俊泽焦倩倩蒋盛翔杨志坚
大功率白光LED的制备和表征被引量：32
2004年
用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 2 0 0mA仍没有出现饱和或下降的趋势 ,白光的色温从 5 30 0K下降至 4 80 0K。
陈志忠秦志新胡晓东于彤军杨志坚章蓓姚光庆邱秀敏张国义
关键词：白光发光二极管荧光粉电流扩展光功率
用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性被引量：26
1999年
本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红移到蓝光区；二次离子质谱仪（ Ｓ Ｉ Ｍ Ｓ）测量发现有 Ｚｎ 扩散到 Ｇａ Ｎ 外延层， Ｚｎ 的扩散引起光致发光谱主峰移动．估算出在 １０５０℃ Ｚｎ 在 Ｇａ Ｎ 中扩散系数是 ８６×１０－ １４ ｃｍ ２ ／ｓ．
毛祥军杨志坚李景屈建勤张国义
关键词：氮化镓MOCVD
一种金属有机化合物气相沉积系统
本实用新型公开了一种金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，包括反应室、载气源、三族源、五族源、三族源总管路、五族源总管路和尾气处理单元，其特征在于，该MOCVD系统还包括外加碳源，载气源通过管路连接该外加碳源，该外加...
杨学林沈波沈剑飞刘丹烁蔡子东杨志坚王新强
文献传递
高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究
本文采用光致发光谱和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。实验发现在非故意掺杂常规GaN中,黄带发光的强度随着镓空位(Vga)浓度的增加而增大,其表明Vg...
许福军沈波苗振林宋杰杨志坚张国义
关键词：光致发光谱MOCVD法位错密度
文献传递
GaN/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>复合材料在Ⅲ－V族氮化物外延生长中做衬底的方法
本发明首次提出了一种以GaN/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>做为一种Ⅲ－Ⅴ族氮化物外延的复合衬底及其制备方法和有关的质量要求;直接生长GaN等Ⅲ－Ⅴ族氮化物单晶薄膜,提高成品率,有好的重复性,涉及...
张国义杨志坚李景
文献传递
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