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黄敞

作品数:42 被引量:26H指数:3
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

领域

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主题

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  • 8个微米
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  • 7个值模拟
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机构

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  • 8个陕西微电子学...
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  • 4个北京师范大学
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资助

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传媒

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  • 1个电测与仪表

地区

  • 10个陕西省
  • 8个北京市
  • 1个云南省
21 条 记 录,以下是 1-10
余山
供职机构:航空航天部
研究主题:亚微米 集成电路 CMOS 反应离子刻蚀 硅化钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石涌泉
供职机构:北京大学
研究主题:SOI 集成电路 SOI器件 CMOS/SIMOX 硅膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张兴
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈文正
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:SOI MOSFET BICMOS 深亚微米 VLSI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴传良
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:VLSI 薄层 半导体器件 热载流子 深亚微米
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徐大林
供职机构:陕西微电子学研究所
研究主题:MOSFET LDD 氧化法 VLSI 反应离子刻蚀
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张兴
供职机构:航空航天部
研究主题:集成电路 优化设计 MOSFET SOI_MOSFET 击穿电压
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曹建民
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:VLSI 薄层 半导体器件 热载流子 深亚微米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王方
供职机构:陕西微电子学研究所
研究主题:MOSFET VLSI LDD 氧化法 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李荫波
供职机构:陕西微电子学研究所
研究主题:MOSFET VLSI LDD 氧化法 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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