您的位置： 专家智库 > >

曹建民

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇薄层
  • 2篇VLSI
  • 1篇亚微米
  • 1篇载流子
  • 1篇深亚微米
  • 1篇数值模拟
  • 1篇热载流子
  • 1篇微米
  • 1篇SOI器件
  • 1篇MOSFET
  • 1篇值模拟

机构

  • 2篇西安微电子技...

作者

  • 2篇沈文正
  • 2篇吴传良
  • 2篇曹建民
  • 2篇黄敞

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
薄层SOI/MOSFET’s热载流子电流的数值模拟
1998年
本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得出：栅电流和实验数据符合得很好；体硅器件的注入电流和通常一样，最大值发生在Ｖｇ＝Ｖｄ／２处；然而在薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件中，由于存在着前栅、背栅的耦合作用，热载流子电流变化较为复杂．栅电流不能完全表现注入电流的变化情况．
曹建民吴传良张文俊范辉沈文正黄敞
关键词：SOI器件半导体器件MOSFETVLSI
深亚微米薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应分析被引量：4
1998年
本文从二维模拟热载流子注入电流入手，讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的影响．模拟结果表明，对于不同的硅层厚度，沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用，有时甚至是决定性的作用．沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样，是影响薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ热载流子效应的重要因素，这也就解释了以往文献中，随着硅层减薄，沟道电场增大，热载流子效应反而减小的矛盾．模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内（６０～１００ｎｍ），器件热载流子效应达到最小值，而且在这一硅层范围内，热载流子效应对硅层厚度、栅氧厚度以及掺杂浓度的变化不敏感，这对高性能深亚微米薄层ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ’ｓ设计具有重要的指导意义．
曹建民吴传良沈文正黄敞
关键词：VLSI半导体器件
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0