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张正选

作品数：132 被引量：138H指数：7
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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相关领域：电子电信理学一般工业技术核科学技术更多>>

合作作者

领域

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主题

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  • 39个辐照
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  • 31个总剂量辐照

机构

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资助

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地区

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贺威
供职机构：深圳大学
研究主题：氮化镓 肖特基二极管 沟道 单粒子翻转 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕大炜
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 总剂量 沟槽隔离 SOI材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈明
供职机构：中国科学院
研究主题：总剂量辐射效应 SOI 沟道 总剂量辐射 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡志远
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 沟槽隔离 总剂量效应 深亚微米器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜景和
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：质子 MOS器件 剂量率 单粒子效应 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁冰旭
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：沟道 沟槽隔离 SOI 深亚微米器件 微米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宝平
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量 辐照 测试系统 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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