陈明
- 作品数：42 被引量：156H指数：7
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：浙江省医药卫生科学研究基金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 基于自适应学习实现空调智能节能控制的系统
- 本发明涉及一种基于自适应学习实现空调智能节能控制的系统，其中包括客户端装置；中心控制平台，用以通过所述的客户端装置接收用户指令信息并对用户操作习惯进行自适应学习；控制器装置，与被控制的空调相连接，所述的控制器装置用以接收...
- 郑春雷贾根团曹毅李鹏宇陈明金军郑洪渠
- 文献传递
- 螺旋断层、容积旋转调强和固定野调强在食管癌放疗剂量对比分析被引量：13
- 2019年
- 目的对比螺旋断层放疗(TOMO)、容积旋转调强放疗(VMAT)和固定野调强放疗(IMRT)技术在食管癌放疗计划靶区及危及器官剂量参数之间的优劣。方法选择2015年9月至2016年5月在浙江省肿瘤医院接受放疗的25例食管鳞癌患者,男24例、女1例,47~82岁,中位年龄63岁。颈段+胸上段6例,胸中、下段19例。每例分别制作TOMO、VMAT和IMRT共3套放疗计划。所有计划均以计划靶体积(PTV)统一处方剂量6000 cGy/30F。记录PTV的适形指数(CI)、不均匀指数(HI)、最大剂量(Dmax)、平均剂量(Dmean),1%、2%、50%、95%、98%、99%PTV所受剂量D1、D2、D50、D95、D98、D99,95%,100%、105%处方剂量所围体积占比V95、V100、V105,全肺和心脏的平均剂量V5、V10、V20、V30、V40和V50,及脊髓的最大剂量(Dmax)。两正态分布数据间采用配对t检验进行比较。结果与TOMO及IMRT相比,VMAT显示了更高的适形指数(0.81±0.08)和更低的不均匀指数(0.10±0.05)。IMRT的适形指数为0.77±0.05,低于TOMO(0.79±0.04,t=2.604,P=0.016)及VMAT(0.81±0.08,t=2.817,P=0.010)。TOMO在正常肺组织各剂量学参数均低于VMAT和IMRT,尤其是在V20、V30(17.00%±5.57%,9.09%±3.93%)显著低于VMAT(18.12%±5.66%,10.18%±4.23%)(均P<0.05)和IMRT(21.46%±5.82%,11.87%±4.38%)(均P<0.01)。TOMO脊髓Dmax[(38.24±3.72)Gy]显著低于VMAT[(39.88±3.27)Gy,t=-3.173,P=0.004]和IMRT[(41.09±3.18)Gy,t=-5.559,P=0.000]。颈段、胸上段食管癌VMAT在适形指数和不均匀指数上好于TOMO和IMRT,尤其是不均匀指数(0.09±0.01)显著低于TOMO(0.12±0.03,t=3.024,P=0.029)和IMRT(0.12±0.02,t=-3.800,P=0.013)。TOMO和VMAT在肺平均剂量、V20、V30上低于IMRT,差异有统计学意义(均P<0.05)。TOMO在脊髓Dmax[(38.46±2.15)Gy]上明显低于VMAT[(41.02±1.28)Gy,t=-2.701,P=0.043]和IMRT[(41.76±1.11)Gy,t=-3.111,P=0.027]。胸中下段食管癌IMRT在肺MLD、V10、V20、V30上高于TOMO和VMAT(均P<0.05)。TOMO在脊髓Dmax[(38.17±4.14)Gy]上低于VMAT[(39.52±3.64)Gy,t=-2.219,P=0.04
- 徐裕金李浦胡晓王谨马红莲陈明
- 关键词：食管肿瘤放射治疗剂量
- 一种改进的信号子空间聚焦宽带DOA估计算法被引量：3
- 2022年
- 信号子空间聚焦(FSS)算法可实现宽带相干信号的波达方向(DOA)估计,但其在短快拍条件下存在估计精度差、分辨率低的问题。提出一种改进的信号子空间聚焦(MFSS)算法。根据波长间隔与阵元间距的匹配度选取最佳参考频点及子频带,通过Hankel矩阵奇异值分解重构子频带的协方差矩阵,并利用信号子空间聚焦法构造聚焦协方差矩阵,使用Root-正交传播算子实现DOA估计。实验结果表明,相比FSS、MTOPS、LR-MUSIC算法,MFSS算法复杂度较低,能够有效提高估计精度和速度。
- 贾思宇路茗丁华泽陈明赵鲁阳
- 关键词：波达方向估计宽带信号相干信号
- 超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征
- 2010年
- 介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。
- 张帅张正选毕大炜陈明
- 关键词：SOISIMOX
- 离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究
- 2013年
- 基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理。实验结果表明,采用该技术制备的绝缘体上硅材料抗总剂量能力达到1Mrad(Si);离子注入改性SOI材料在经过室温和高温退火后,辐射导致的固定电荷和界面态可以完全恢复;离子注入和高温退火在二氧化硅薄膜中形成硅纳米团簇结构,从而引入深电子陷阱,补偿总剂量辐射引起的绝缘埋层中的空穴积累。
- 陈明毕大炜黄辉祥邹世昌张正选
- 关键词：SOIMOS退火效应总剂量辐射离子掺杂
- 注硅对SIMOX材料性能影响的研究
- 2007年
- 首先采用注硅的方法改进sIMOx（注氧隔离）SOI（绝缘体上硅）材料，对硅注入在SIMOX材料的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述。并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。最后，对利用注硅改进的SIMOX材料制备的MOSFET的辐射特性进行了报道。
- 贺威张正选田浩杨惠俞文杰王茹陈明王曦
- 关键词：离子注入SIMOX绝缘体上硅总剂量辐射效应
- 部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态。随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率。模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因。
- 俞文杰张正选张恩霞钱聪贺威田浩陈明王茹
- 关键词：SOI总剂量辐射
- 富硅二氧化硅总剂量辐射效应及其机理初探
- 二氧化硅是集成电路特别是MOS集成电路中广泛应用的关键介质，用于MOS器件的栅介质和器件之间的隔离。地球周围空间、核爆炸环境、加速器和核能装置中存在的大量高能粒子和射线会在二氧化硅内产生空穴积累，从而导致MOS器件阈值电...
- 陈明
- 浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
- 本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。
- 刘张李张正选毕大炜张帅田浩俞文杰陈明王茹
- 关键词：控制电路总剂量辐射效应
- 文献传递
- 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系(英文)
- 2007年
- 实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.
- 俞文杰王茹张正选钱聪贺威田浩陈明
- 关键词：总剂量辐射
