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贺威

作品数：137 被引量：54H指数：4
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金深圳市基础研究计划项目深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 89篇专利
  • 38篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 65篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 8篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇机械工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 30篇氮化镓
  • 20篇总剂量
  • 19篇晶体管
  • 18篇场效应
  • 17篇肖特基
  • 17篇二极管
  • 15篇单粒子
  • 15篇总剂量辐射
  • 15篇沟道
  • 15篇半导体
  • 14篇肖特基二极管
  • 13篇单粒子翻转
  • 12篇栅极
  • 12篇绝缘体上硅
  • 11篇势垒
  • 11篇瞬态
  • 11篇场效应晶体管
  • 10篇单粒子瞬态脉...
  • 10篇时钟
  • 9篇欧姆接触

机构

  • 112篇深圳大学
  • 29篇中国科学院
  • 6篇中国科学院研...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 137篇贺威
  • 67篇刘新科
  • 46篇黎晓华
  • 27篇张正选
  • 20篇林峰
  • 14篇吴庆阳
  • 13篇张恩霞
  • 13篇钱聪
  • 12篇田浩
  • 11篇王茹
  • 11篇高致慧
  • 11篇俞文杰
  • 11篇林伟豪
  • 11篇张准
  • 10篇陈明
  • 10篇陈勇
  • 10篇骆盛
  • 10篇贺凌翔
  • 9篇朱德亮
  • 8篇王敏

传媒

  • 8篇固体电子学研...
  • 5篇功能材料与器...
  • 4篇深圳大学学报...
  • 3篇中国激光
  • 3篇功能材料
  • 2篇高能物理与核...
  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇激光技术
  • 1篇广东化工
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇科技广场
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第五届粒子物...

年份

  • 17篇2024
  • 19篇2023
  • 12篇2022
  • 14篇2021
  • 13篇2020
  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 12篇2007
  • 7篇2006
  • 1篇2005
共 137 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
聚合物复合修饰层的柔性薄膜晶体管及其制造方法
本发明公开了聚合物复合修饰层的柔性薄膜晶体管及其制造方法，该柔性薄膜晶体管包括衬底、底栅电极、介电层、聚合物复合修饰层、有源层及电极；底栅电极设置于衬底上端面，介电层包裹底栅电极的上端面及四周进行设置，聚合物复合修饰层覆...
沈宇轩闫岩张猛贺威
总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型被引量：1
2010年
SOI（绝缘体上硅）器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响。模拟数据和试验数据具有很好的一致性。
贺威张正选
关键词：埋氧层绝缘体上硅总剂量辐射效应背栅
一种垂直型氮化镓LED的三色芯片及制备方法
本发明公开了一种垂直型氮化镓LED的三色芯片，包括：重掺杂氮化镓自支撑衬底的正面依次沉积有n型氮化镓外延层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型氮化镓外延层，重掺杂氮化镓自支撑衬底的背面沉积有背面N‑type接触电极；...
刘新科蒋忠伟林锦沛杨永凯贺威方明黎晓华钟泽黄双武
双阱CMOS器件单粒子瞬态效应机理研究被引量：2
2018年
介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,并提出一种高拟合度的临界电荷计算方案。双阱器件共享电荷诱发的寄生双极放大效应对相邻PMOS管的稳定性有着显著的影响,高线性能量传输提高了器件单粒子翻转的敏感性。电学特性表明,全三维器件数值仿真的方法能够有效评估因内建电势突变产生的瞬态脉冲电流。该方法满足器件仿真对精确度的要求。
张准贺威骆盛贺凌翔曹建民刘毅王坤
关键词：电荷收集
一种氮化镓场效应管及其制备方法
本发明公开一种氮化镓场效应管及其制备方法，所述氮化镓场效应管包括氮化镓衬底、漂移层、沟道层以及电极；漂移层设于氮化镓衬底的一侧；沟道层设于漂移层远离衬底的一侧，沟道层包括邻接漂移层设置的第一沟道层以及邻接第一沟道层设置的...
贺威黄昊利健郑子阳杨嘉颖吴健华刘新科
文献传递
一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法
本发明实施例公开了一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法，包括：在N+型氮化镓衬底上生长N‑型氮化镓外延层，在N‑型氮化镓外延层的两侧通过离子注入的方式掩模生长0.5～2um深的P型氮化镓外延层；在N‑型氮化镓外延层和P型...
刘新科黄昊杨嘉颖贺威黎晓华宋利军黄双武
提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法
本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场...
张恩霞张正选王曦林成鲁林梓鑫钱聪贺威
文献传递
一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法
本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法。该方法采用ICP进行氧气等离子优化氮化镓导电通道，在沉积绝缘介电层之前先进行氧气等离子体处理，然后进行原位退火，在栅极区产生一种晶体GaON...
刘新科林峰利键陈勇王磊黎晓华贺威俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥朱德亮
文献传递
场效应晶体管及其制备方法
本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法，场效应晶体管包括基层、p型纳米线、n型纳米线、漏极、源极以及栅极结构，基层形成有间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区；p型纳米线和n型纳米线成对设置，p型纳米线垂直设于第一掺杂区，n型...
贺威杨嘉颖利健黄昊郑子阳吴健华刘新科
MOSFET管及其制备方法
本发明的目的是提供一种MOSFET管及其制备方法。本发明提出的新型GaN器件结构将垂直沟槽结构与AlSiO氧化物结合在一起，以及将旋涂玻璃(SOG)作为场板电介质并制作接触孔巧妙的形成了场板结构，有效降低了氧化物的最大电...
刘新科陈勇王佳乐胡聪邓煊华吴健华贺威
文献传递
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