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张恩霞

作品数：46 被引量：20H指数：2
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院更多>>
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共 62 条 记 录，以下是 1-10
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱聪
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 沟道 总剂量辐射 场区 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺威
供职机构：深圳大学
研究主题：氮化镓 肖特基二极管 沟道 单粒子翻转 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹阳根
供职机构：上海工程技术大学
研究主题：冲压 杯突试验 IC封装 CAE 塑封
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙佳胤
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：氮化镓 SOI 衬底材料 衬底 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林成鲁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘忠立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI FPGA 集成电路 SIMOX 现场可编程门阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李宁
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI SIMOX 总剂量辐射 注氮 全耗尽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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