钱聪
- 作品数：16 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 纳米硅在SIMOX材料抗辐照加固中的应用研究
- SOI材料以及SOI器件及有良好的抗单粒子效应和瞬间辐射的能力，但绝缘埋层的存在使得其抗总剂量能力受到限制。在埋层中注入硅离子被认为是一种有效的材料加固方法，这与注入产生的纳米晶硅电子陷阱有关。本文主要研究了离子注入形成...
- 钱聪
- 关键词：纳米硅总剂量辐照效应抗辐照加固
- 文献传递
- 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法
- 本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场...
- 张恩霞张正选王曦林成鲁林梓鑫钱聪贺威
- 文献传递
- 环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究被引量：1
- 2007年
- 采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。实验表明,同样的辐射总剂量条件下,采用改性材料制作的器件与标准SIMOX材料制作的器件相比,阈值电压漂移小得多,亚阈漏电也得到明显改善,说明改性SIMOXSOI材料具有优越的抗总剂量辐射能力。
- 贺威张恩霞钱聪张正选
- 关键词：注氧隔离绝缘体上硅总剂量辐射效应
- 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系
- 实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结...
- 俞文杰王茹张正选钱聪贺威田浩陈明
- 关键词：总剂量辐射效应载流子复合
- 文献传递
- 部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态。随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率。模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因。
- 俞文杰张正选张恩霞钱聪贺威田浩陈明王茹
- 关键词：SOI总剂量辐射
- 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
- 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注...
- 张恩霞张正选王曦孙佳胤钱聪贺威
- 文献传递
- 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系(英文)
- 2007年
- 实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.
- 俞文杰王茹张正选钱聪贺威田浩陈明
- 关键词：总剂量辐射
- 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
- 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注...
- 张恩霞张正选王曦孙佳胤钱聪贺威
- 文献传递
- 不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究被引量：1
- 2006年
- 研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
- 钱聪张恩霞贺威张正选张峰林成鲁王英民王小荷赵桂茹恩云飞罗宏伟师谦
- 关键词：总剂量辐照效应
- 部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究
- 2006年
- 采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验。结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平。
- 贺威张恩霞钱聪张正选
- 关键词：注氧隔离总剂量辐射效应
