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吴幕宏

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇离子注入
  • 1篇居里
  • 1篇居里温度
  • 1篇光谱
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱
  • 1篇CR掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁化率
  • 1篇磁学
  • 1篇磁学特性

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇卢红兵
  • 1篇廖蕾
  • 1篇李金钗
  • 1篇吴云
  • 1篇吴幕宏

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性被引量：1
2008年
采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型(111)Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外(FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si—H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K).部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据.
吴云廖蕾吴幕宏卢红兵李金钗
关键词：离子注入红外光谱居里温度磁化率
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