卢红兵
- 作品数：5 被引量：16H指数：2
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- ZnO多枝纳米棒水热法生长及其光学性质被引量：10
- 2006年
- 以硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)和六亚甲基四胺(C6H12N4)为原料,采用水热法在90℃生长出具有多枝六方纳米棒的ZnO纳米结构,运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.观察到多枝纳米棒的形成和生长情况,发现多枝ZnO纳米结构由单根纳米棒演化而来,不同发展阶段样品的PL谱呈现出强的黄绿光发射现象.样品的高斯拟合PL谱揭示了没有分枝的纳米棒样品中,氧间隙缺陷远多于氧空位缺陷,而分枝的ZnO样品中氧间隙缺陷与氧空位缺陷浓度的比值降低.
- 许磊廖蕾李金钗王多发卢红兵
- 关键词：氧化锌光学性质
- ZnO缓冲层上定向ZnO纳米杆阵列的制备被引量：1
- 2006年
- 利用Zn膜热氧化获得的非晶ZnO薄膜作为缓冲层，再采用Zn粉热蒸发工艺合成出定向、致密且直径较细（≈40nm）的单晶ZnO纳米杆阵列，其阵列密度约为2．3×10^7mm^-2．比较了在厚度不同的Zn膜所形成的ZnO缓冲层上生长的ZnO纳米杆形态，讨论了ZnO缓冲层表面形貌对ZnO纳米杆生长形态的影响．结果表明，随Zn膜厚度的增加，ZnO缓冲层从岛状大颗粒（0．5～1μm）并伴有密集小颗粒（〈20nm）状态变为连续薄膜，所得ZnO纳米杆从沿大颗粒表面无规则发散生长并伴小颗粒上的准定向生长转变成垂直于衬底的大面积定向生长，且纳米杆阵列也随着Zn膜厚度增加而变得定向、致密、和分布均匀．
- 何辉李金钗廖蕾卢红兵王多发
- 关键词：氧化锌缓冲层纳米杆
- ZnO纳米结构的电化学法可控生长及其机理被引量：4
- 2007年
- 以溶胶-凝胶法制备c轴取向为主的ZnO薄膜作缓冲层,采用阴极电化学沉积技术制备高c轴取向ZnO纳米结构.在0.7 mA/cm^2的恒定电流密度下生长出直径约50 nm、密度为2.5×107 mm^-2的垂直向上的ZnO纳米杆阵列,通过逐渐增大电流密度（0.4～0.9 mA/cm^2）或逐渐减小电流密度（0.9～0.4 mA/cm^2）分别研制出直径逐渐变小或变大的纳米杆阵列,实现了纳米杆形貌、尺寸的可控生长.c轴择优取向的同质ZnO缓冲层既为纳米杆的定向生长提供了形核中心又减小了纳米杆的晶格失配度,有ZnO缓冲层样品的强紫外光发射和较弱的与缺陷相关的可见光发射的光致发光结果证实了缓冲层对提高样品晶体质量的重要作用.
- 李金钗朱昱卢红兵田玉
- 关键词：电化学沉积缓冲层
- ZnO缓冲层上定向ZnO微棱柱的制备、表征和光致发光
- 以热氧化由离子束溅射的Zn膜形成的非晶ZnO为缓冲层,采用Zn粉真空热蒸发工艺在(100)硅衬底上生长出具有六角伞状顶部的ZnO微棱柱,其伞状顶部垂直向上长有细小的ZnO纳米线(直径约为17 nm)。ZnO微棱柱均匀垂直...
- 卢红兵李金钗田玉朱昱
- 关键词：离子束溅射晶体生长光学性质
- 文献传递
- Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性被引量：1
- 2008年
- 采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型(111)Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外(FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si—H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K).部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据.
- 吴云廖蕾吴幕宏卢红兵李金钗
- 关键词：离子注入红外光谱居里温度磁化率
