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ZnO缓冲层上定向ZnO微棱柱的制备、表征和光致发光: 以热氧化由离子束溅射的Zn膜形成的非晶ZnO为缓冲层,采用Zn粉真空热蒸发工艺在(100)硅衬底上生长出具有六角伞状顶部的ZnO微棱柱,其伞状顶部垂直向上长有细小的ZnO纳米线(直径约为17 nm)。ZnO微棱柱均匀垂直...; 卢红兵李金钗田玉朱昱; 关键词：离子束溅射晶体生长光学性质; 文献传递

ZnO纳米结构的电化学法可控生长及其机理被引量：4: 2007年; 以溶胶-凝胶法制备c轴取向为主的ZnO薄膜作缓冲层,采用阴极电化学沉积技术制备高c轴取向ZnO纳米结构.在0.7 mA/cm^2的恒定电流密度下生长出直径约50 nm、密度为2.5×107 mm^-2的垂直向上的ZnO纳米杆阵列,通过逐渐增大电流密度（0.4～0.9 mA/cm^2）或逐渐减小电流密度（0.9～0.4 mA/cm^2）分别研制出直径逐渐变小或变大的纳米杆阵列,实现了纳米杆形貌、尺寸的可控生长.c轴择优取向的同质ZnO缓冲层既为纳米杆的定向生长提供了形核中心又减小了纳米杆的晶格失配度,有ZnO缓冲层样品的强紫外光发射和较弱的与缺陷相关的可见光发射的光致发光结果证实了缓冲层对提高样品晶体质量的重要作用.; 李金钗朱昱卢红兵田玉; 关键词：电化学沉积缓冲层

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朱昱