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吴云
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
武汉大学物理科学与技术学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
吴幕宏
武汉大学物理科学与技术学院
李金钗
武汉大学物理科学与技术学院
廖蕾
武汉大学物理科学与技术学院
卢红兵
武汉大学物理科学与技术学院
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2008
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Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性
被引量:1
2008年
采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型(111)Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外(FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si—H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K).部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据.
吴云
廖蕾
吴幕宏
卢红兵
李金钗
关键词:
离子注入
红外光谱
居里温度
磁化率
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