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武健

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
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机构

  • 1篇湘潭大学

作者

  • 1篇唐壁玉
  • 1篇潘正贵
  • 1篇凡头文
  • 1篇王继伟
  • 1篇杨芳
  • 1篇武健

传媒

  • 1篇湘潭大学自然...

年份

  • 1篇2011
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排序方式：
化学有序Al_xGa_(1-x)N合金的第一性原理研究(英文)
2011年
基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小,而结构稳定性变强.计算的电子结构揭示:化学有序结构AlxGa1-xN合金是直接带隙半导体,其带隙随着x的增大而变宽.化学有序化对带隙变化的影响可能源于量子阱的局域化,且化学有序结构AlxGa1-xN的化学键是包含明显离子特性的共价键.
潘正贵唐壁玉凡头文杨芳武健王继伟
关键词：ALXGA1-XN第一性原理
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