凡头文
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：湘潭大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 镁及镁固溶体中层错和位错的第一性原理研究
- 轻质镁合金由于高的比强度、比刚度，良好的导热、减震、电磁屏蔽及切削等综合性能，在轻工业领域如汽车产业、各类电子产品以及航空航天工业等利用良多。但是六角结构镁合金有限的塑性力学性能大大限制了其更为广泛的应用，而这主要决定于...
- 凡头文
- 关键词：第一性原理
- 文献传递
- Mg_3Ce基态结构的GGA和GGA+U对比研究
- 2013年
- 采用基于第一性原理的计算软件VASP对Mg3Ce的基态结构分别在GGA方法和GGA+U方法下进行了研究.通过GGA计算得到的结构常数与实验值吻合,但是计算结果表明基态结构为铁磁结构,而且所得到的磁矩为0.94μB,这些都与实验值不符合.为了更好地描述Mg3Ce的性质,我们引入了GGA+U计算,结果表明当Ueff=7.0eV的时候所得到的结构常数、基态结构和磁矩都与实验值很好地符合,因此引入GGA+U计算是必要的,且Ueff=7.0eV在GGA+U计算中是合理的.通过电子结构,进一步揭示了Mg3Ce的内在机制.发现Ce的f态电子对总的态密度的贡献是很大的,因此对于Mg3Ce性能的研究必须要考虑到f态电子的贡献.
- 罗立国唐壁玉凡头文
- 化学有序Al_xGa_(1-x)N合金的第一性原理研究(英文)
- 2011年
- 基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小,而结构稳定性变强.计算的电子结构揭示:化学有序结构AlxGa1-xN合金是直接带隙半导体,其带隙随着x的增大而变宽.化学有序化对带隙变化的影响可能源于量子阱的局域化,且化学有序结构AlxGa1-xN的化学键是包含明显离子特性的共价键.
- 潘正贵唐壁玉凡头文杨芳武健王继伟
- 关键词：ALXGA1-XN第一性原理
