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潘正贵

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：湘潭大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇AL
  • 3篇X
  • 2篇第一性原理
  • 2篇合金
  • 2篇XGA
  • 2篇N
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇SUB
  • 1篇ALXGA1...
  • 1篇GA

机构

  • 3篇湘潭大学

作者

  • 3篇潘正贵
  • 1篇唐壁玉
  • 1篇凡头文
  • 1篇王继伟
  • 1篇杨芳
  • 1篇武健

传媒

  • 1篇湘潭大学自然...

年份

  • 3篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
化学有序Al/_xGa/_/(1-x/)N合金的电子性能研究
GaN及其化合物Al/_xGa/_/(1-x/)N、In/_xGa/_/(1-x/)N等半导体材料被认为是最有前途的化合物半导体材料。这些化合物半导体材料具有良好的热力学稳定性以及可调的发光波长等优点,因此被广泛应用于开...
潘正贵
关键词：第一性原理计算
文献传递
化学有序Al_xGa_(1-x)N合金的第一性原理研究(英文)
2011年
基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小,而结构稳定性变强.计算的电子结构揭示:化学有序结构AlxGa1-xN合金是直接带隙半导体,其带隙随着x的增大而变宽.化学有序化对带隙变化的影响可能源于量子阱的局域化,且化学有序结构AlxGa1-xN的化学键是包含明显离子特性的共价键.
潘正贵唐壁玉凡头文杨芳武健王继伟
关键词：ALXGA1-XN第一性原理
化学有序Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N合金的电子性能研究
GaN及其化合物Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N、In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N等半导体材料被认为是最有前途的化合物半导体材料。这些化合物半导体材料具有良好的...
潘正贵
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