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孙帅
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23
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H指数:1
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北京大学
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相关领域:
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黄如
北京大学
王润声
北京大学
樊捷闻
北京大学
艾玉杰
北京大学
黄欣
北京大学
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北京大学
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孙帅
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黄如
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艾玉杰
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一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的内...
艾玉杰
郝志华
黄如
浦双双
樊捷闻
孙帅
王润声
许晓燕
一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔,小孔的方向可以是垂直的,可以是水平的,也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如
杨庚雨
孙帅
谭胜虎
张丽杰
黄英龙
张耀凯
唐昱
潘越
蔡一茂
毛俊
文献传递
一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法
本发明公布了一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法。结构包括源(1)、漏(2)、栅(3)三部分,源(1)和漏(2)之间有一根悬空纳米线(5);栅(3)和漏(2)之间有绝缘层(6);该结构采用围栅结构,栅(3)的一端...
黄如
林增明
王润声
邹积彬
孙帅
文献传递
一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法
本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法,包括:定义有源区;淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜;并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构;通过刻蚀硅工艺,将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上;抑制底管离子注入;通过湿法...
黄如
樊捷闻
艾玉杰
孙帅
王润声
邹积彬
黄欣
文献传递
一种垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管,一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力...
黄如
樊捷闻
艾玉杰
孙帅
王润声
邹积彬
黄欣
文献传递
一种利用直流源测试不同材料间边界热阻的方法
本发明公布了一种利用直流源测试不同材料间边界热阻的方法,具体包括:构建一种特殊的测试结构;通过直流方法测出测试结构中样品2(Y2)和样品1(Y1)的整体热阻之差;计算材料A和材料B之间的边界热阻;改变输入直流电源的输入功...
黄如
林增明
黄欣
孙帅
文献传递
一种纳米线围栅器件散热特性的测试结构和测试方法
本发明公布了一种纳米线围栅器件散热特性的测试结构和测试方法。所述测试结构,包括源(1)、漏(2)、栅(3),源(1)和漏(2)由一根悬空纳米线(5)相连;漏(2)端包含加热结构;所述结构采用的是围栅结构,即栅(3)将纳米...
黄如
林增明
王润声
邹积彬
孙帅
一种制备超细线条的方法
本发明公开了一种制备超细纳米线条的方法,属于微电子半导体器件晶体管制造的技术领域。该方法将掩膜阻挡氧化及分步氧化工艺相结合来得到悬空超细线条。制备出的悬空超细线条直径可由淀积氮化硅的厚度和两次氧化分别通过时间及温度来精确...
黄如
孙帅
艾玉杰
樊捷闻
王润声
许晓燕
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一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法
本发明公布了一种纳米尺度器件散热特性的测试结构和测试方法。结构包括源(1)、漏(2)、栅(3)三部分,源(1)和漏(2)之间有一根悬空纳米线(5);栅(3)和漏(2)之间有绝缘层(6);该结构采用围栅结构,栅(3)的一端...
黄如
林增明
王润声
邹积彬
孙帅
微纳米尺度圆形边界界面热阻的测量方法
本发明公开了一种微纳米尺度圆形边界界面热阻的测量方法,设计了辅助器件结构,包括圆柱内芯和内芯外包裹的第一圆环、第二圆环,第一圆环与第二圆环形成的圆形边界即为待测界面的等效界面,从而将晶向、尺寸等影响统一考虑,取等效界面热...
黄如
姜子臻
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