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艾玉杰

作品数：39 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 17篇晶体管
  • 16篇纳米
  • 15篇场效应
  • 15篇场效应晶体管
  • 12篇纳米线
  • 11篇硅纳米线
  • 10篇电路
  • 10篇湿法腐蚀
  • 10篇刻蚀
  • 9篇多晶
  • 9篇多晶硅
  • 9篇光刻
  • 8篇选择比
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 8篇瞬态响应
  • 8篇沟道
  • 8篇衬底
  • 7篇线条

机构

  • 39篇北京大学

作者

  • 39篇艾玉杰
  • 38篇黄如
  • 30篇王润声
  • 22篇樊捷闻
  • 16篇黄欣
  • 15篇浦双双
  • 15篇郝志华
  • 12篇孙帅
  • 9篇安霞
  • 8篇诸葛菁
  • 8篇范春晖
  • 8篇许晓燕
  • 6篇邹积彬
  • 6篇云全新
  • 4篇薛守斌
  • 2篇王阳元
  • 2篇张兴
  • 1篇徐晓燕

年份

  • 3篇2013
  • 16篇2012
  • 13篇2011
  • 7篇2010
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO<Sub>2</Sub>；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上；淀积与Si...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
一种垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管，一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力...
黄如樊捷闻艾玉杰孙帅王润声邹积彬黄欣
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一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
黄如浦双双许晓燕安霞郝志华范春晖王润声艾玉杰
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一种基于普通光刻和氧化工艺的超细线条制备方法
本发明公开了一种基于光刻和氧化工艺相结合来实现超细纳米线条的方法，属于微电子半导体器件晶体管制造的技术领域。该方法基于普通光学光刻与氧化工艺相结合的方法来得到悬空超细线条。制备出的纳米线的直径可由淀积氮化硅的厚度和两次氧...
黄如孙帅艾玉杰樊捷闻王润声徐晓燕
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以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si Fin和大源...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
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一种SOI场效应晶体管的散热结构
本发明公开了一种用于肖特基源漏SOI场效应晶体管的散热结构，属于微电子领域。该散热结构是与SOI场效应晶体管的源端或源、漏两端分别连接填充N型和P型高热电常数材料的两孔，漏端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接...
黄欣薛守斌艾玉杰黄如
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一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极，其特征在于，所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层，包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部，该复合隔离层又分为两层，即与...
黄如云全新安霞艾玉杰张兴
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一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO<Sub>2</Sub>；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上；淀积与Si...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
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一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选...
艾玉杰黄如郝志华范春晖浦双双王润声云全新
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