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郝志华
作品数:
20
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供职机构:
北京大学
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
经济管理
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合作作者
黄如
北京大学
浦双双
北京大学
艾玉杰
北京大学
王润声
北京大学
范春晖
北京大学
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黄如
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郝志华
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艾玉杰
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浦双双
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安霞
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刘文
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王阳元
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2013
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2012
7篇
2011
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2010
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一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法
本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法,属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层,埋氧层和顶层,所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层,所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材...
刘文
郝志华
黄如
文献传递
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选...
艾玉杰
黄如
郝志华
范春晖
浦双双
王润声
云全新
抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法
本发明公开了一种基于多晶硅的抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法,属于电子技术领域。本发明所述的SOI器件包括衬底层,埋氧层和顶层,所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层,所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层...
刘文
郝志华
黄如
文献传递
一种细线条的制备方法
本发明提供一种细线条的制备方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺,有效地改善了线条形貌,大大减小了LER(线边缘粗糙度);同时与侧墙工艺相结合,成功制备出纳米级细线条并能够精确控...
浦双双
黄如
艾玉杰
郝志华
王润声
一种制备超窄槽的方法
本发明提供了一种制备超窄槽的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括:首先在衬底上制备化学机械抛光停止层;然后淀积一氮化硅层,在氮化硅层上淀积一多晶硅层;随后将多晶硅加工成窄槽;再将多晶硅上定义出的窄槽转移...
黄如
浦双双
许晓燕
安霞
郝志华
范春晖
王润声
艾玉杰
文献传递
一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法
本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法,属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层,埋氧层和顶层,所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层,所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材...
刘文
郝志华
黄如
一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法,降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中,IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的,不存在对准偏差的影响,通过在后续工艺中选...
艾玉杰
黄如
郝志华
范春晖
浦双双
王润声
云全新
文献传递
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法,降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中,TFET的源漏区不是由光刻直接定义的,而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰
黄如
郝志华
范春晖
浦双双
王润声
云全新
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的内...
艾玉杰
郝志华
黄如
浦双双
樊捷闻
孙帅
王润声
许晓燕
文献传递
一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法,降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中,TFET的源漏区不是由光刻直接定义的,而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一...
艾玉杰
黄如
郝志华
范春晖
浦双双
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