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王润声

作品数：182 被引量：13H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 178篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 69篇电子电信
  • 24篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 73篇半导体
  • 70篇晶体管
  • 53篇电路
  • 37篇倒片
  • 37篇导体
  • 37篇半导体结构
  • 33篇半导体器件
  • 32篇纳米
  • 28篇集成电路
  • 27篇纳米线
  • 23篇场效应
  • 23篇场效应晶体管
  • 22篇衬底
  • 21篇堆叠
  • 21篇互连
  • 19篇自对准
  • 19篇沟道
  • 18篇刻蚀
  • 16篇介质层
  • 15篇栅结构

机构

  • 182篇北京大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 182篇王润声
  • 178篇黄如
  • 55篇黎明
  • 35篇樊捷闻
  • 30篇艾玉杰
  • 24篇邹积彬
  • 18篇蒋晓波
  • 18篇孙帅
  • 14篇黄欣
  • 14篇王阳元
  • 13篇许晓燕
  • 13篇浦双双
  • 13篇郝志华
  • 11篇刘煜
  • 9篇张兴
  • 8篇诸葛菁
  • 8篇安霞
  • 8篇林增明
  • 7篇李佳
  • 7篇郭睿

传媒

  • 2篇中国科学：信...
  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 70篇2024
  • 17篇2023
  • 7篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 8篇2016
  • 8篇2014
  • 8篇2013
  • 27篇2012
  • 15篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
共 182 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种一维到三维边界热阻的测试结构和方法
本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R<Su...
黄如林增明王润声邹积彬李佳许晓燕
跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件
本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成一个或多个互连单元；其中，每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备：在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构...
吴恒郭睿卢浩然孙嘉诚王润声黎明黄如
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内...
艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声许晓燕
垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备
本申请提供一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上层叠沉积第一材料层、第二材料层以及第三材料层，以形成第一半导体结构；刻蚀第一半导体结构的第一区域，以形成第二半导体结构，第二半导体结...
吴恒王逸勐黄如王润声黎明
无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法
本发明提供了无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法。所述器件的源漏左右对称，测试仪连接源漏的探针及电缆左右对称，首先控制栅、源、漏的偏压设置使器件处于不形成反型层且栅介质层陷阱不限制电荷的初始状态，然后通过改变...
邹积彬黄如王润声艾玉杰樊捷闻
半导体结构的制备方法、以及半导体结构
本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括：在衬底上形成有源结构，其中，有源结构至少包括第一部分和第二部分；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，其中，有源结构的第一部分对应的第一有源区与衬底之间形...
吴恒王润声黎明卢浩然黄如
一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法
本发明公布了一种蒙特卡洛仿真的闪烁噪声统计方法，属于集成电路设计自动化领域。本发明将闪烁噪声看作由器件中所有陷阱俘获/释放载流子产生的随机电报噪声(RTN)叠加而成，通过对每个陷阱导致的随机电报噪声进行单独仿真，再将得到...
王润声刘明昊孙梓轩张嘉阳黄如
一种半导体结构的制备方法及半导体结构
本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；对有源结构填充氧化物，以形成浅槽隔离；去除浅槽隔离的第一部分，以暴露第一有源结构；基于...
吴恒王润声黎明黄如
底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备
本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，该方法包括：在衬底上依次沉积牺牲层以及叠层，叠层由第一半导体材料层和第二半导体材料层交替层叠形成的；刻蚀牺牲层和叠层，以形成鳍状结构；在鳍状结构的两端，外...
吴恒滕飞宇卢浩然黄如黎明王润声
一种多驱动能力的集成电路标准单元版图迁移的方法
本发明公布了一种多驱动能力的集成电路标准单元版图迁移的方法，将集成电路某个驱动能力的标准单元已完成的版图作为参考版图，其余的驱动能力下的标准单元待生成的版图作为目标版图；根据参考版图逐步得到所需驱动能力下的标准单元的目标...
林亦波高笑涵张昊懿王润声黄如
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