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黎明
作品数:
185
被引量:50
H指数:4
供职机构:
北京大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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合作作者
黄如
北京大学信息科学技术学院
王润声
北京大学
张兴
北京大学
陈珙
北京大学
杨远程
北京大学
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基于Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用
本发明公开了一种基于Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道,通过C...
黎明
蔡其峰
刘鋆灵
谭聪伟
彭海琳
贺明
张兴
黄如
自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备
本申请提供一种自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备,该方法包括:在衬底的沟道区上形成硬掩模和侧墙结构;基于硬掩模和侧墙结构,刻蚀衬底,以形成第一半导体结构;去除硬掩模,并刻蚀第一半导体结构以及衬底,以形成第一...
吴恒
葛延栋
卢浩然
王润声
黎明
黄如
一种适于锗基器件的界面处理方法
本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法,属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该方法采用15%~36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层,然后用5%~10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化,在表面形成一...
黄如
李敏
安霞
黎明
林猛
张兴
文献传递
一种半导体结构及其形成方法
一种半导体结构,包括:一半导体衬底,多层超细硅线条,所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括:通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区;制备硅的腐蚀掩蔽层;形成多层超细硅线条。...
黎明
杨远程
樊捷闻
宣浩然
张昊
黄如
文献传递
一种垂直纳米线晶体管的集成方法
本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成,与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比,能...
黎明
杨远程
陈珙
樊捷闻
张昊
黄如
文献传递
实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法
本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法,在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅,然后在有源区被保护的情况下,通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构,这种以多晶硅多晶锗硅作为牺...
黎明
李敏
黄如
安霞
张兴
堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件
本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括:提供一半导体衬底;刻蚀半导体衬底以形成鳍状结构;鳍状结构包括第一部分和第二部分;基于第一部分,形成第一单扩散隔离结构、位于第一单扩散隔离结构的第一侧的...
吴恒
郭睿
卢浩然
王润声
黎明
黄如
一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层,对锗硅Fin条进行氧化,利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点,在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结...
安霞
张冰馨
胡向阳
黎明
黄如
张兴
文献传递
半导体结构的制备方法及半导体结构
本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构,该半导体结构的制备方法包括:形成隔离结构,隔离结构包括第一隔离层;在隔离结构的第一侧形成逻辑电路,逻辑电路包括具有第一有源区的第一晶体管;在隔离结构的第二侧形成存储单元,存...
吴恒
葛延栋
卢浩然
王润声
黎明
黄如
半导体结构及其制备方法
本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中,制备方法包括:提供一衬底;在衬底上依次形成由不同晶格常数的材料制成的第一材料层和第二材料层;刻蚀第一材料层和第二材料层,形成的鳍结构包括由刻蚀后的第一材料层形成的第一部分和由刻...
吴恒
王润声
黎明
卢浩然
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