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N掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜日盲紫外探测器性能的影响被引量：6: 2021年; 单斜氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))材料因其独特而优异的光电特性在日盲紫外探测领域具有广阔的应用前景,受到国内外研究者的广泛关注.本研究工作采用射频磁控溅射技术,在c面蓝宝石衬底上制备了未掺杂和氮(N)掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了N掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜结构及光学特性的影响;在此基础上,构筑了未掺杂和N掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜基金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探测器,并讨论了N掺杂影响器件性能的物理机制.结果表明,N掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌变得相对粗糙,且会促使β-Ga_(2)O_(3)薄膜由直接带隙向间接带隙转变.所有器件均表现出较高的稳定性和日盲特性,相比之下,N掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜器件能展现出较低的暗电流和更快的光响应速度(响应时间和恢复时间分别为40和8 ms),与氧空位相关缺陷的抑制密切相关.本研究对开发新型的高性能日盲紫外探测器具有一定的借鉴意义.; 周树仁张红莫慧兰刘浩文熊元强李泓霖孔春阳叶利娟李万俊; 关键词：N 掺杂快速响应

基于MoS_(2)-XS(X=Al,B,Ga)复合结构光能的高效利用被引量：1: 2021年; 近年来,二维过渡金属硫化物材料因其独特的物化属性受到了广泛的关注,并已成功应用于微电子器件、光伏技术及析氢催化等诸多领域,展示出了广阔的应用前景.然而,高载流子复合率、低迁移率和低循环稳定性等问题都在不同程度上限制了该类材料相关性能的进一步提升.目前,将二维材料复合处理,对能带结构或物化属性等进行优化改进,在诸多实验中已被证实是切实可行的.基于密度泛函理论,本研究提出了MoS_(2)-XS(X=Al, B, Ga)异质结构.研究发现, MoS_(2)-AlS/BS复合结构具有极低的失配度和天然的Ⅱ型异质结能带形式;MoS_(2)-XS的价带顶和导带底分别由MoS_(2)和XS构成,但异质结构具有比纯净结构更低的有效质量和更好的输运特性;当MoS_(2)-BS复合结构应用于太阳能电池时,其能量转换效率高达~20.4%.; 李泓霖熊元强张红叶利娟李万俊; 关键词：异质结第一性原理

《发展汉语》存现句考察及教学建议: 随着我国综合实力的不断增强，越来越多的人想要学习汉语和体验中华文化。虽然存现句只是整个语法体系中的一部分，但是作为一个重点句式，不管是在现代汉语的本体研究还是整个对外汉语教学研究中，它的地位都不容小视。然而由于存现句自身...; 张红; 关键词：对外汉语教学教材分析存现句语法教学

小学英语学习策略培养的研究: 学习策略一直是近年来教育教学专家们研究和谈论的热门话题。为构建现代化基础教育课程体系，我国基础英语教育改革广泛实施。2001年，《小学英语课程标准》正式颁布，就教学目标而言，对英语学习有持续的爱好和兴趣，让学生通过使用简...; 张红; 关键词：小学英语元认知策略情感策略交际策略; 文献传递

氧化锌材料p型掺杂研究进展被引量：1: 2016年; 氧化锌(ZnO)是II-VI族直接带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 e V,激子束缚能高达60me V,是制造蓝紫外发光、探测以及激光器件的理想材料。高质量n型和p型ZnO以及同质p-n结的制备是实现器件化的关键。目前,n型ZnO的制备技术已趋于成熟,但高质量稳定的p型ZnO的缺乏已成为制约其器件化的瓶颈。在过去的十余年里,通过国内外科研工作者的不懈努力,在理论和实验上都取得了显著的成果。本文主要概述了ZnO材料的p型掺杂、p型导电机制以及p-ZnO基光电器件的研究进展,同时初步探索了ZnO材料p型导电稳定性问题。; 谭蜜张红李万俊秦国平阮海波孔春阳; 关键词：ZNO P型掺杂光电器件稳定性

Ga掺杂ZnO纳米线在制备光电化学型紫外光电探测器中的应用: 本发明公开了Ga掺杂ZnO纳米线在制备光电化学型紫外光电探测器中的应用，所制备的Ga掺杂ZnO(ZnO:Ga)PEC型紫外光电探测器表现出优异的自供电紫外光响应性能，超过了绝大多数已报道的PEC型紫外光电探测器。此外，该...; 张红唐七鑫谭桂英

本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜p型导电的影响被引量：2: 2018年; 采用射频磁控溅射和离子注入技术,在石英玻璃衬底上制备了In-N共掺ZnO薄膜[ZnO:(In,N)].通过优化退火工艺,成功实现了可重复的p型ZnO:(In,N)薄膜,其空穴浓度约为10^(16)cm^(-3),并观察到薄膜随退火产生n→p→n电学转变现象.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)等测试手段,研究了掺杂杂质和本征缺陷对薄膜结构和p型导电的影响.发现相较于n型样品,p型ZnO中N相关受主缺陷浓度并不占优,但其本征施主缺陷锌间隙(Zn_i)含量较少,本征受主缺陷氧间隙(O_i)和锌空位(V_(Zn))相对较多.表明薄膜中除N相关受主缺陷(N_O,In_(Zn)-nN_O)对p型导电有贡献之外,本征缺陷(V_(Zn),O_i,Zn_i)对实现薄膜p型导电也有重要作用.因此,如何调控ZnO中本征缺陷是实现其p型转变以及获得稳定p-ZnO薄膜的重要手段.; 谭蜜孔春阳李万俊秦国平张红阮海波王冬王江; 关键词：P型ZNO 本征缺陷 X射线光电子能谱 RAMAN 光致发光谱

In-N共掺p型ZnMgO薄膜的制备及稳定性研究: 氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体材料，室温下其禁带宽度与氮化镓（GaN）相近约为3.37 eV，激子束缚能高达60meV，是GaN（约25 meV）的两倍之多，远高于室温热能（26 meV），有望实现室温乃至更...; 张红; 关键词：半导体材料氧化锌薄膜磁控溅射离子注入

论张贤亮小说的叙事伦理问题: 作为“重放的鲜花”和“反思文学”代表作家之一的张贤亮,其在新时期的小说除了表达与同期作家较相一致的历史反思,表现知识分子长期承受的“伤痕”与苦难之外,还有更多对自身、知识分子以及过去经历的独特审视。这种审视是充满复杂性和...; 张红; 关键词：小说叙事伦理知识分子自我认同; 文献传递

不同退火温度对ZnO:In薄膜的结构及光电特性影响: 2015年; 在室温条件下采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了高质量的ZnO:In薄膜。并且研究了不同退火温度对ZnO:In薄膜的结构、光电性能的影响,结果显示薄膜的晶粒大小随着退火温度的升高而增大,同时薄膜的载流子浓度随着退火温度的升高而降低,薄膜光学带隙也随着退火温度的升高而减小,第一性原理计算结果表明间隙锌原子在ZnO:In薄膜中的迁移势垒为0.90eV。间隙锌原子的受热溢出是薄膜光学带隙减小和载流子浓度降低的主要原因。; 徐庆张萍张红; 关键词：退火第一性原理计算

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张红