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阮海波

作品数:93 被引量:86H指数:6
供职机构:重庆文理学院更多>>
发文基金:重庆市自然科学基金国家自然科学基金重庆市教委科研基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 61篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 18篇理学
  • 9篇化学工程
  • 9篇金属学及工艺
  • 9篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 26篇纳米
  • 26篇纳米线
  • 23篇银纳米线
  • 16篇导电薄膜
  • 14篇导电墨水
  • 14篇P型
  • 12篇透明导电
  • 11篇P型ZNO
  • 10篇碳复合材料
  • 10篇溅射
  • 10篇复合材料
  • 10篇掺杂
  • 10篇复合材
  • 9篇树脂
  • 9篇放电
  • 8篇对苯二甲酸
  • 8篇双酚
  • 8篇双酚A环氧树...
  • 8篇磁控
  • 7篇增重

机构

  • 70篇重庆文理学院
  • 17篇重庆大学
  • 17篇重庆师范大学
  • 3篇重庆理工大学
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇重庆航凌电路...
  • 1篇昆明理工大学
  • 1篇乐山职业技术...

作者

  • 93篇阮海波
  • 31篇李璐
  • 28篇刘碧桃
  • 26篇陈善勇
  • 18篇柳红东
  • 17篇秦国平
  • 16篇孔春阳
  • 16篇黎军军
  • 15篇胡荣
  • 10篇方亮
  • 10篇金容
  • 9篇李万俊
  • 7篇吴芳
  • 5篇南貌
  • 5篇苏永要
  • 5篇蒲勇
  • 4篇赵永红
  • 4篇黄秋柳
  • 4篇伏春平
  • 4篇孟祥丹

传媒

  • 7篇重庆师范大学...
  • 4篇物理学报
  • 3篇材料导报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇电镀与精饰
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇中国表面工程
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇西华师范大学...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇重庆理工大学...
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇2011中国...

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 6篇2021
  • 5篇2020
  • 11篇2019
  • 8篇2018
  • 11篇2017
  • 4篇2016
  • 16篇2015
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
93 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
银纳米线透明导电薄膜的制备方法
本发明公开了银纳米线透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:a.将不同长径比的银纳米线抽滤到纤维素膜;b.将纤维素膜贴在透明薄膜上后溶解纤维素膜;根据银纳米线的长径比进行多次抽滤并将透明导电薄膜上的纤维素膜溶解,最终获得仅...
金容蒲勇刘瑶阮海波刘玉荣
文献传递
一种耐水耐油的银导电薄膜的制备方法
本发明公布了一种耐水耐油的银导电薄膜的制备方法,其制备步骤为:将衬底进行清洗、干燥和等离子处理;在衬底上涂覆一层粘结剂,烘干;将银纳米线导电墨水涂覆在粘结层上,干燥后得到银导电网络;将聚氟代丙烯酸酯类保护剂涂覆在导电网络...
阮海波李璐刘碧桃周海霞陈善勇关有为
p型ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性研究被引量:7
2012年
采用电子束蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜,以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜.借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性.结果表明:所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构,在ZnO:N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式(位于272.5,505.1和643.6cm-1),分析表明N已掺入ZnO薄膜中;霍尔测试表明,通过适当退火处理后,ZnO:N薄膜向p型转变,其空穴浓度为7.73×1017cm-3,迁移率为3.46cm2V-1s-1,电阻率为2.34Ωcm.然而,长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO:N薄膜的p型性能随时间并不稳定,结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO:N薄膜中存在残余压应力,同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷(N2)O是p型不稳定的根本原因.
李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇孟祥丹赵永红梁薇薇方亮
关键词:拉曼光谱稳定性第一性原理
一种核用锆合金表面单层富Cr掺N涂层及其制备方法
一种核用锆合金表面单层富Cr掺N涂层,所述单层富Cr掺N涂层中,N的掺杂量为8~15at.%,具体是通过磁控溅射,以Cr靶为溅射靶,溅射时通入N<Sub>2</Sub>制备得到。本发明中通过磁控溅射制备出单层富Cr掺N涂...
阮海波黄伟九朱彭舟徐孟张腾飞
一种强超声辅助法制备组织均匀的高致密ITO靶材
本发明公开了一种组织均匀的高致密ITO靶材的制备方法,将粒径20~70nm,纯度≥99.99%的ITO(In2O3:SnO2=9:1,wt%)经过干法制粒机,制成15‑20um左右大小的蓬松颗粒;再将经过制粒的蓬松ITO...
黎军军刘碧桃关有为闫恒庆阮海波
文献传递
氧化锌的p型掺杂和室温稀磁特性研究
氧化锌/(ZnO/)是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体,其室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,使其在短波长发光方面有着诱人的应用前景,因而受到研究者的广泛关注。但目前,获得稳定、可重复的高质...
阮海波
关键词:P型ZNO稀磁半导体
文献传递
一种有导电填充物的醇基银纳米线墨水制成的导电薄膜
本发明公布了一种有导电填充物的醇基银纳米线墨水制成的导电薄膜,其特征在于:其墨水组成为:银纳米线,0.2‑1.5%;氟碳表面活性剂,0.005‑0.05%;小分子分散剂,0.1‑2%;小分子流平剂,1‑3%;小分子保湿剂...
黎军军关有为刘碧桃阮海波陈善勇李璐
文献传递
p型ZnO薄膜的制备及特性被引量:13
2007年
采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5Ω.cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.
王楠孔春阳朱仁江秦国平戴特力南貌阮海波
关键词:离子注入P型ZNO薄膜退火射频磁控溅射
一种金属有机骨架Mn-BTC及制备方法和应用
一种金属有机骨架Mn‑BTC的制备方法是以Mn(CH<Sub>3</Sub>COO)<Sub>2</Sub>·4H<Sub>2</Sub>O、PVP‑30、乙醇与水的混合溶液、均苯三甲酸为原料,分别经过溶液A的制备、溶液...
柳红东李宗阳阮海波胡荣黄佳木
文献传递
一种锰酸锌/牛奶碳复合材料及其制备方法
一种锰酸锌/牛奶碳复合材料是由锰酸锌75%~80%,牛奶碳20%~25%组成,均为质量百分含量;本发明的锰酸锌/牛奶碳复合材料纯度高,可高达99.3%,形貌好,颗粒均匀性好,整体分布均匀,比表面积大,导电率高;本发明方法...
柳红东林烨伏春平胡荣阮海波
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