李万俊
- 作品数：22 被引量：31H指数：4
- 供职机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 一种α-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>@a-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质结核壳结构、制备方法及其自驱动日盲UV PEC型成像系统
- 本发明公开了一种α‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>@a‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质结核壳结构，包括α‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米棒阵...
- 李万俊王璇
- C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响被引量：2
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO∶C薄膜,借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在ZnO薄膜中存在形式。结果表明,所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的c轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加,薄膜的n型导电性能不断增强,其主要原因是ZnO薄膜中的C替代Zn位起施主作用。
- 卞萍孔春阳李万俊秦国平张萍徐庆
- 关键词：电学特性XPSRAMAN
- N,Ag单掺杂p型ZnO薄膜的制备与特性研究
- 氧化锌（ZnO）是II-VI族直接宽禁带化合物半导体材料，呈六方纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，是同为第三代半导体材料氮化镓（GaN，约为25meV）的2倍，并具有较高的激子增益（32...
- 李万俊
- 关键词：氧化锌薄膜光电器件P型掺杂光电特性
- 文献传递
- p型ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性研究被引量：7
- 2012年
- 采用电子束蒸发技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜,以N离子注入的方式及后期退火处理实现N掺杂ZnO薄膜.借助拉曼散射光谱、透射光谱和霍尔测试等手段研究了ZnO:N薄膜的拉曼及光电特性.结果表明:所有样品均呈现ZnO纤锌矿结构,在ZnO:N薄膜拉曼光谱中发现与N相关的振动模式(位于272.5,505.1和643.6cm-1),分析表明N已掺入ZnO薄膜中;霍尔测试表明,通过适当退火处理后,ZnO:N薄膜向p型转变,其空穴浓度为7.73×1017cm-3,迁移率为3.46cm2V-1s-1,电阻率为2.34Ωcm.然而,长期进行霍尔跟踪测试发现ZnO:N薄膜的p型性能随时间并不稳定,结合拉曼散射光谱和第一性原理计算分析认为由于p-ZnO:N薄膜中存在残余压应力,同时薄膜中还出现了易补偿空穴的施主缺陷(N2)O是p型不稳定的根本原因.
- 李万俊孔春阳秦国平阮海波杨天勇孟祥丹赵永红梁薇薇方亮
- 关键词：拉曼光谱稳定性第一性原理
- 光电化学型自供电日盲深紫外光电探测器及其制备方法
- 本申请提供一种光电化学型自供电日盲深紫外光电探测器，其包括：三电极和电解质，其中，三电极的工作电极、对电极和参比电极均浸泡于电解质中，所述工作电极、对电极和参比电极并联并经导线与光电化学型工作站电连接；其中，所述工作电极...
- 李万俊胡郑蕊黄利娟
- 文献传递
- 本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜p型导电的影响被引量：2
- 2018年
- 采用射频磁控溅射和离子注入技术,在石英玻璃衬底上制备了In-N共掺ZnO薄膜[ZnO:(In,N)].通过优化退火工艺,成功实现了可重复的p型ZnO:(In,N)薄膜,其空穴浓度约为10^(16)cm^(-3),并观察到薄膜随退火产生n→p→n电学转变现象.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)等测试手段,研究了掺杂杂质和本征缺陷对薄膜结构和p型导电的影响.发现相较于n型样品,p型ZnO中N相关受主缺陷浓度并不占优,但其本征施主缺陷锌间隙(Zn_i)含量较少,本征受主缺陷氧间隙(O_i)和锌空位(V_(Zn))相对较多.表明薄膜中除N相关受主缺陷(N_O,In_(Zn)-nN_O)对p型导电有贡献之外,本征缺陷(V_(Zn),O_i,Zn_i)对实现薄膜p型导电也有重要作用.因此,如何调控ZnO中本征缺陷是实现其p型转变以及获得稳定p-ZnO薄膜的重要手段.
- 谭蜜孔春阳李万俊秦国平张红阮海波王冬王江
- 关键词：P型ZNO本征缺陷X射线光电子能谱RAMAN光致发光谱
- N掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜日盲紫外探测器性能的影响被引量：6
- 2021年
- 单斜氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))材料因其独特而优异的光电特性在日盲紫外探测领域具有广阔的应用前景,受到国内外研究者的广泛关注.本研究工作采用射频磁控溅射技术,在c面蓝宝石衬底上制备了未掺杂和氮(N)掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了N掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜结构及光学特性的影响;在此基础上,构筑了未掺杂和N掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜基金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型日盲紫外探测器,并讨论了N掺杂影响器件性能的物理机制.结果表明,N掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌变得相对粗糙,且会促使β-Ga_(2)O_(3)薄膜由直接带隙向间接带隙转变.所有器件均表现出较高的稳定性和日盲特性,相比之下,N掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜器件能展现出较低的暗电流和更快的光响应速度(响应时间和恢复时间分别为40和8 ms),与氧空位相关缺陷的抑制密切相关.本研究对开发新型的高性能日盲紫外探测器具有一定的借鉴意义.
- 周树仁张红莫慧兰刘浩文熊元强李泓霖孔春阳叶利娟李万俊
- 关键词：N掺杂快速响应
- 光电化学型自供电日盲深紫外光电探测器及其制备方法
- 本申请提供一种光电化学型自供电日盲深紫外光电探测器，其包括：三电极和电解质，其中，三电极的工作电极、对电极和参比电极均浸泡于电解质中，所述工作电极、对电极和参比电极并联并经导线与光电化学型工作站电连接；其中，所述工作电极...
- 李万俊胡郑蕊黄利娟
- Ag-N共掺p型ZnO的第一性原理研究被引量：4
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag-N共掺杂ZnO体系以及间隙N和间隙H掺杂p型ZnO:(Ag,N)体系的缺陷形成能和离化能进行了研究.结果表明,在AgZn和NO所形成的众多受主复合体中,AgZn-NO受主对不仅具有较低的缺陷形成能同时其离化能也相对较小,因此,AgZn-NO受主对的形成是Ag-N共掺ZnO体系实现p型导电的主要原因.研究发现,当ZnO:(Ag,N)体系有额外间隙N原子存在时,AgZn-NO受主对容易与Ni形成AgZn-(N2)O施主型缺陷,该施主缺陷的形成降低了Ag-N共掺ZnO的掺杂效率因而不利于p型导电.当间隙H引入到ZnO:(Ag,N)体系时,Hi易与AgZn-NO受主对形成受主-施主-受主复合结构(AgZn-Hi-NO),此复合体的形成不仅提高了AgZn-NO受主对在ZnO中的固溶度,同时还能使其受主能级变得更浅而有利于p型导电.因此,H辅助Ag-N共掺ZnO可能是一种有效的p型掺杂手段.
- 李万俊方亮秦国平阮海波孔春阳郑继卞萍徐庆吴芳
- 关键词：P型ZNO第一性原理
- Cd掺杂对ZnO∶In薄膜光电性质的影响
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的ZnO∶(In,Cd)薄膜,并研究了Cd掺杂浓度对薄膜光学和电学性质的影响。透射光谱测试发现,掺Cd对薄膜的透射率影响不大,都在80%以上,且随着Cd掺杂浓度的增加,薄膜的禁带宽度在3.253～3.148eV范围内减小。霍尔测试表明,Cd掺杂增强了薄膜的导电性,当Cd掺杂浓度为0at.%、2at.%和4at.%时,薄膜的电阻率分别为(2.68×10-1)、(1.30×10-1)和(6.83×10-2)Ω.cm。结合理论计算和光致发光谱分析认为,Cd掺入后ZnO的导带明显下移,这不仅导致ZnO∶(In,Cd)薄膜的带隙变窄,同时使施主杂质(Zni和InZn等)的电离能减小,从而增强了薄膜的导电性能。
- 孟祥丹孔春阳李万俊秦国平阮海波赵永红卞萍
- 关键词：光学性质电学性质
