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杨映虎

作品数：25 被引量：132H指数：7
供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金中国科学院西部之光基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 12篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇光致
  • 10篇光致发光
  • 10篇发光
  • 7篇ZNO薄膜
  • 5篇光谱
  • 4篇室温
  • 4篇纳米
  • 4篇金刚石薄膜
  • 4篇光致发光谱
  • 3篇电学
  • 3篇电阻
  • 3篇氧化硅
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇接触电阻
  • 3篇接触电阻率
  • 3篇溅射
  • 3篇二氧化硅
  • 3篇半导体
  • 3篇ZNO薄膜结...
  • 3篇衬底

机构

  • 25篇兰州大学
  • 5篇北京机械工业...
  • 2篇北京市科学技...
  • 1篇中国科学院近...

作者

  • 25篇杨映虎
  • 21篇王印月
  • 8篇陈光华
  • 8篇龚恒翔
  • 6篇甄聪棉
  • 6篇朋兴平
  • 6篇郭永平
  • 5篇刘雪芹
  • 4篇甘润今
  • 4篇张仿清
  • 4篇方泽波
  • 3篇何山虎
  • 3篇阎志军
  • 2篇薛华
  • 2篇蒋翔六
  • 2篇季涛
  • 2篇孙燕杰
  • 1篇奇莉
  • 1篇宋长安
  • 1篇张亚菲

传媒

  • 7篇兰州大学学报...
  • 4篇物理学报
  • 3篇半导体光电
  • 2篇Journa...
  • 2篇光学学报
  • 2篇发光学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇中国科学（G...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2002
  • 5篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1992
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜被引量：5
2004年
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征。测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74GPa),薄膜表面平整。样品为n型导电,电阻率为1.6Ω·cm。在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415～433nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400meV。讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响。
朋兴平谭永胜方泽波杨映虎王印月
关键词：氧化锌薄膜光致发光谱
Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究
2000年
在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 10 - 6 Ω·cm2 。
王印月甄聪棉刘雪芹闫志军龚恒翔杨映虎何山虎
关键词：欧姆接触金刚石薄膜接触电阻率溅射沉积
蓝光ZnO薄膜的特性研究被引量：6
2005年
采用反应溅射法在n型硅(100)衬底上制备了ZnO薄膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征。X射线衍射结果表明,实验中制备出了应变小的c轴择优取向的ZnO薄膜;原子力显微镜观察表明,薄膜表面平整,颗粒大小约为50 nm,为柱状结构,颗粒垂直于硅衬底表面生长;在室温光致发光(PL)谱中观察到了波长位于434 nm处的较窄的强蓝光发射峰,该蓝光峰的半峰全宽约为50 m eV。对蓝光峰的发光机制进行了讨论,并推断出该蓝光峰来源于电子从Zn填隙缺陷能级向价带顶跃迁。
朋兴平杨扬耿伟刚杨映虎王印月
关键词：ZNO薄膜硅衬底光致发光
沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响被引量：4
2000年
采用RF反应溅射法在Si(1 1 1 )、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜。用XRD分析了沉积条件 (衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类 )对样品结构的影响。发现 (1 )薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强 ,超过40 0℃后薄膜质量开始变差 ;(2 )工作气体中氧与氩气压比 (PO2 PAr)为 2 :3时 ,薄膜取向性最好 ;(3)薄膜晶粒尺寸 1 1～ 34nm ,相同沉积条件下 ,单晶硅衬底样品 (0 0 2 )衍射峰强度减弱 ,半高宽无明显变化。
龚恒翔阎志军杨映虎王印月
关键词：ZNO薄膜
In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究被引量：1
2005年
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1-100Ω·cm).当In掺杂量为3％时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3x108N/m2).
朋兴平杨映虎季涛方泽波王印月
关键词：ZNO薄膜
射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性被引量：12
2007年
用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
朋兴平王志光宋银季涛臧航杨映虎金运范
关键词：ZNO薄膜X射线衍射谱光致发光谱衬底温度
非晶硅太阳电池稳定性研究
1996年
报导对非晶硅太阳电池长期跟踪测量的结果，并对提高太阳电池稳定性进行了讨论．
王印月杨映虎姜永波张仿清陈光华王思礼
关键词：非晶硅稳定性太阳能电池
用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸被引量：9
1998年
用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入ＳｉＯ２基底中的纳米Ｇｅ复合膜（ｎｃ－Ｇｅ／ＳｉＯ２）。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱，其结果与晶体Ｇｅ的拉曼谱相比，纳米Ｇｅ的拉曼峰位红移峰形变宽；用拉曼谱的参数计算了纳米Ｇｅ晶粒的平均尺寸。
王印月郑树凯杨映虎郭永平奇莉甘润今
关键词：拉曼散射光谱晶粒尺寸
埋入SiO_2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光被引量：11
1997年
1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2～5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义.
王印月杨映虎郭永平王吉政陈光华甘润今
关键词：二氧化硅光致发光喇曼散射
埋入SiO_2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质被引量：1
1998年
研究了埋入ＳｉＯ２薄膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光（ＰＬ）的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现，当测量温度高于６０℃时，埋入ＳｉＯ２膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微结构具有半导体导电规律，尽管Ｃ／ＳｉＯ２复合膜在室温至６０℃之间表现出金属导电性质。对电导和ＰＬ机制进行了讨论。
王印月杨映虎孙燕杰龚恒祥郭永平刘凤敏甘润今
关键词：微晶退火电导光致发光
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