王印月
- 作品数：76 被引量：475H指数：12
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术医药卫生更多>>
- In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究被引量：1
- 2005年
- 通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1-100Ω·cm).当In掺杂量为3％时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3x108N/m2).
- 朋兴平杨映虎季涛方泽波王印月
- 关键词：ZNO薄膜
- 非晶硅太阳电池稳定性研究
- 1996年
- 报导对非晶硅太阳电池长期跟踪测量的结果，并对提高太阳电池稳定性进行了讨论．
- 王印月杨映虎姜永波张仿清陈光华王思礼
- 关键词：非晶硅稳定性太阳能电池
- 用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度
- 1990年
- 本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.
- 王印月王辉耀张仿清
- 关键词：非晶硅膜温度调制
- 用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸被引量：9
- 1998年
- 用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入ＳｉＯ２基底中的纳米Ｇｅ复合膜（ｎｃ－Ｇｅ／ＳｉＯ２）。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱，其结果与晶体Ｇｅ的拉曼谱相比，纳米Ｇｅ的拉曼峰位红移峰形变宽；用拉曼谱的参数计算了纳米Ｇｅ晶粒的平均尺寸。
- 王印月郑树凯杨映虎郭永平奇莉甘润今
- 关键词：拉曼散射光谱晶粒尺寸
- 反应溅射a-SiC_xN_y∶H薄膜特性被引量：2
- 1999年
- 利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜（ａＳｉＣｘＮｙ∶Ｈ），通过红外透射谱（ＩＲ），光吸收谱［α（λ）］，电子自旋共振谱（ＥＳＲ）和电导率（σ）等测试手段，研究了薄膜的结构和光电特性．在固定甲烷流量γＣＨ４＝３％，氢气流量γＨ２＝１２％的情况下，改变氮气流量γＮ２＝（０—１４）％，综合研究了暗电导率σｄ、光学带隙Ｅｏｐｔ、自旋密度ＮＳ等随γＮ２的变化关系，发现由于碳、氮元素同时存在，薄膜结构和特性明显地受γＮ２的调制，当γＮ２～５％时，薄膜结构和特性均有突变．对上述结果进行了较深入的讨论．
- 吴现成王印月
- 关键词：反应溅射碳氮薄膜
- 一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法
- 本发明公开一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法，特别是生产半导体集成电路中形成电路的互连线层间或每层互连线间的绝缘介质的制备方法，特别是用溶胶-凝胶法制备多孔二氧化硅薄膜的方法。本发明的方法是在用溶胶-凝胶法制备多孔二氧...
- 何志巍刘雪芹王印月
- 文献传递
- 超精细图案光刻技术的研究与发展被引量：6
- 2002年
- 根据国内外研究和发展现状 ,对有望突破 1 0 0nm超精细图案光刻分辨率的一些关键技术进行了阐述 ,其中包括曝光技术、掩模技术、光学系统改进和以离轴照明、相位移掩模、多重滤光和图形演算为代表的分辨率增强技术等。
- 赵猛张亚非徐东王印月
- 关键词：光刻分辨率光学系统分辨率增强技术半导体
- In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响被引量：7
- 2005年
- 通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV)附近的蓝紫发光双峰.研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响.当In片面积为靶总面积的3%时,样品具有高度的c轴择优取向和较小的晶格失配(0.16%);同时在PL谱中观察到波长位于415nm(3.02eV)和433nm(2.86eV)处的强蓝紫光双峰.
- 朋兴平王印月方泽波杨映虎
- 关键词：ZNO薄膜光致发光谱
- 反应溅射a-Si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性
- 1992年
- 通过红外透射谱和X射线衍射谱研究a-si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性,发现当周期厚度较小时,超晶格的晶化温度比体膜a-Ge:H的大,对实验结果作初步讨论。
- 王印月许怀哲陈光华
- 关键词：非晶体超晶格热稳定性晶化
- 分子模板法制备纳米多孔SiO_2薄膜被引量：3
- 2004年
- 报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2 薄膜。用扫描电子显微镜 (SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌 ,发现改性后薄膜孔洞大小均匀 ,排列有序 ,孔径在 2 0 0nm左右。付立叶红外变换光谱 (FTIR)研究表明 ,改性后薄膜内存在大量的 -CH3键 ,增强了薄膜的憎水性 ,可以有效抑制孔洞塌缩。用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚 ,并且研究了热处理温度对二者的影响 ,发现当热处理温度为3 5 0℃时薄膜厚度约为 40 0nm ,此时介电常数有最低值 1.
- 何志巍甄聪棉缑洁兰伟郭得峰王印月
- 关键词：SIO2低介电常数分子模板
