陈光华
- 作品数:259 被引量:447H指数:11
- 供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量被引量:7
- 1998年
- 本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质.利用X射线光电子能谱(XPS)的表面分析方法,发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子(O-和)提高真空退火温度,吸附氧粒子的数量增加;同时吸附氧粒子的负电性变弱.当退火温度低于350℃时,吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO2→Sn2O3的转变;在这种情况下,可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物,继续提高退火温度,达到400℃时,Sn在金属Sn中的相对含量急剧增大,Sn在金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn3+→Sn0的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积.与温度低于350℃时的退火条件相比,XPS的测量也发现,在400℃的退火温度下;SnO2相对于Sn2O3反而成为比较稳定的金属Sn氧化物.还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系.
- 严辉马黎君陈光华黄世平文华杰郭伟民
- 关键词:高温退火XPS气敏器件
- 电子束蒸发a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的光吸收
- 1992年
- 研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at%
- 甘润今张仿清张津燕刘国汉陈光华
- 关键词:光吸收非晶硅薄膜光学带隙
- C<,60>-PMMA复合膜的光荧光特性
- 了C<,60>含量在1℅~10℅的C<,60>-PMMA复合膜,光荧光(PL)谱的测量结果显示,从1. 661ev到2.405eV,所有含量的C<,60>-PMMA复合膜都呈现出较强的...
- 严辉宋雪梅邹云娟张兴旺王波陈光华马国斌
- 关键词:光荧光
- 氢化非晶锗碳薄膜中的自旋缺陷态
- 1992年
- 本文应用原位电子自旋共振(ESR)技术研究了射频反应溅射法制备的氢化非晶锗碳(a-Ge_(1-x)C_x:H)薄膜中自旋缺陷态的种类、密度、温度依赖关系和热力学动态行为。在分解ESR谱的过程中,发现了它的不对称成分,并对此进行了定量分析和微观机理的探讨。
- 陈光华于工张仿清吴天喜
- 关键词:氢化
- 反应溅射α-GeN#-[x]:H薄膜的喇曼和电子自旋共振谱
- 陈光华张仿清贾炜
- 关键词:溅射电子自旋共振
- 热壁外延C_(60)膜的特性研究
- 1998年
- 研究了不同衬底温度下C60膜的热壁外延生长特性.X射线衍射结果表明,当衬底温度高于160℃时,在氟金云母(001)面上外延生长出完全(111)取向了C60膜,此外,对薄膜结晶的完整性及晶粒尺寸的随温度的变化进行了讨论.
- 陈光华严辉马国斌马国斌
- 关键词:热壁外延X射线衍射碳60
- a-Si:H/a-SiC_x:H超晶格的界面特性
- 1994年
- 报道等离子体化学汽相沉积法制备的a-Si:H/a-SiC:H超晶格的蓝移现象,用小角度X射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现,超晶格界面附近存在较高浓度的H和较多的Si-C键,界面H的热稳定性较差,界面缺陷态密度为1.2×10 ̄(11)cm ̄(-2)。
- 陈光华郭永平姚江宏宋志忠张仿清
- 关键词:氢化非晶硅超晶格
- 退火冷却速率对a—Si_(1-x)Ge_x:H薄膜电导的影响
- 1993年
- 本文比较全面地研究了退火冷却(即热淬火)对反应溅射a—si_1_rGe_x:H薄膜电导的影响,测量了热淬火态引起的热诱导电导.结果表明:电导的改变强烈地依赖于热历史:热诱导电导向平衡态的弛豫过程遵从指数衰减规律;弛豫时间是热激活式的.
- 王印月姜永波陈光华
- 关键词:反应溅射电导率
- 一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备被引量:3
- 2004年
- 为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜 ,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比 ,薄膜沉积速度大幅度提高 ,沉积速度达到采用传统 RF-
- 殷生毅陈光华吴越颖王青刘毅张文理宋雪梅邓金祥
- 关键词:永磁体磁场氢化非晶硅
- 溅射a-GeN_x和a-GeN_x:H薄膜的制备及光电特性的研究被引量:2
- 1989年
- 本文报道了应用射频反应溅射法制备a-GeN_x和a-GeN_x:H薄膜的工艺条件及其基本的光电特性,并报道了它的IR和Raman特性,讨论了掺氮对a-GeN_x:H膜带尾态ΔE,IR谱及Raman谱的影响。
- 陈光华张仿清崔敬忠
- 关键词:非晶半导体光电特性