安正华
- 作品数：20 被引量：20H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备
- SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶Si<,0.86>Ge<,0....
- 安正华刘卫丽张苗林成鲁
- 关键词：化学气相淀积SI衬底退火工艺
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- 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
- 本发明涉及一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法,其特征在于材料或为SiGe层/SiO<Sub>2</Sub>埋层/Si衬底或为SiGe层/SiO<Sub>2</Sub>埋层/缓冲层/Si衬底多层结构;前一材料结构中S...
- 张苗安正华林成鲁沈勤我刘卫丽
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- 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法
- 本发明涉及一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料(SOI)及制备方法,属于微电子学领域。其特征在于利用氢、氦等离子注入与键合技术,形成以Si、SiC、SiGe、GaAs、InP、类金刚石等半导体薄膜材料为有源层,以SiO<Su...
- 张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁
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- 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法
- 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/Si<Sub>1-X</Sub>Ge<Sub>X</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>/Si或Si<Sub>1-X</Sub>Ge<Sub>X...
- 安正华张苗林成鲁刘卫丽沈勤我
- 文献传递
- 一种绝缘层上硅结构及制备方法
- 本发明涉及一种绝缘体上硅结构及制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Al薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或AlN、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Si<S...
- 安正华林成鲁张苗刘卫丽门传玲
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- 制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料被引量：6
- 2002年
- 采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要。利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料。剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求。
- 门传玲徐政安正华张苗林成鲁
- 关键词：绝缘埋层ALN薄膜SOI离子束增强沉积氮化铝
- 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法
- 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Si/SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Si或SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Si的SiGe－OI结构,前者Ge组分恒定,一般小于30%...
- 安正华张苗林成鲁刘卫丽沈勤我
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- SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究
- 2003年
- 采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5×1013,5×1014,5×1015cm-2)的吸除.剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明,700℃以上,Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart—Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底,并被纳米孔吸附.SIMOX氧化埋层界面的本征缺陷对Cu杂质具有一定的吸附作用,但吸杂效果远远低于纳米孔吸杂,且高温下会将杂质释放出来.Smart—cut SOI的氧化埋层界面完整,不具备吸杂作用.1000℃退火后,纳米孔可吸附高达3.5×1015cm-2以上的Cu杂质,纳米孔吸杂效率随Cu注入剂量的降低而升高.当顶层硅中Cu剂量低于5×1014 cm-2时,纳米孔吸杂效率达到90%以上,并将顶层硅中Cu杂质浓度降低到原来的4％以下.纳米孔吸杂是一条解决SOI杂质去除难题的有效途径.
- 张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁朱剑豪
- 关键词：SOI材料吸杂离子注入纳米孔铜金属杂质
- 超薄SOI上应变锗硅材料的生长
- 超薄SOI的顶层硅和中间氧化层之间所形成的垂直键有足够的强度,而非晶氧化层又可以使顶层Si在其上滑移,所以SOI常常用来作为'容忍型衬氏'.薄膜中应力使SiGe材料的能谷发生分裂,电子和空穴的迁移率因此大大提高.本文中,...
- 狄增峰张苗吴雁军安正华朱鸣刘卫丽林成鲁
- 关键词：锗硅材料
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- 一种绝缘层上硅结构的制备方法
- 本发明涉及一种绝缘体上硅结构的制备方法属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Al薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或AlN、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Si<Su...
- 安正华林成鲁张苗刘卫丽门传玲
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