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刘卫丽

作品数：176 被引量：108H指数：7
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 121篇专利
  • 33篇期刊文章
  • 11篇科技成果
  • 10篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 43篇电子电信
  • 13篇金属学及工艺
  • 7篇一般工业技术
  • 6篇化学工程
  • 6篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 1篇生物学
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 45篇抛光
  • 38篇化学机械抛光
  • 38篇机械抛光
  • 33篇存储器
  • 32篇抛光液
  • 29篇相变存储
  • 29篇相变存储器
  • 21篇相变材料
  • 20篇纳米
  • 19篇电路
  • 19篇氧化硅
  • 18篇键合
  • 18篇半导体
  • 15篇溶胶
  • 15篇硅溶胶
  • 13篇水性
  • 12篇水性介质
  • 12篇退火
  • 10篇氧化剂
  • 9篇单晶

机构

  • 166篇中国科学院
  • 43篇上海新安纳电...
  • 9篇中国科学院上...
  • 7篇浙江新创纳电...
  • 4篇上海大学
  • 4篇香港城市大学
  • 4篇中国科学院研...
  • 3篇浙江大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇上海第二工业...
  • 1篇新加坡国立大...
  • 1篇汉城大学
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 176篇刘卫丽
  • 114篇宋志棠
  • 48篇封松林
  • 39篇刘波
  • 31篇林成鲁
  • 18篇陈邦明
  • 16篇沈勤我
  • 13篇张挺
  • 13篇张苗
  • 11篇王良咏
  • 10篇张泽芳
  • 10篇汪海波
  • 8篇马小波
  • 8篇安正华
  • 7篇胡晓凯
  • 7篇林梓鑫
  • 6篇丁晟
  • 6篇张楷亮
  • 6篇王连卫
  • 5篇潘忠才

传媒

  • 6篇功能材料与器...
  • 4篇Journa...
  • 3篇第十三届全国...
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇应用化工
  • 2篇核技术
  • 2篇表面技术
  • 2篇功能材料
  • 2篇上海第二工业...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇中国腐蚀与防...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 8篇2017
  • 8篇2016
  • 9篇2015
  • 2篇2014
  • 7篇2013
  • 13篇2012
  • 16篇2011
  • 13篇2010
  • 11篇2009
  • 10篇2008
  • 9篇2007
  • 4篇2006
  • 12篇2005
  • 9篇2004
共 176 条 记 录，以下是 1-10
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三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片
本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
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一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
本发明涉及一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法,其特征在于材料或为SiGe层/SiO<Sub>2</Sub>埋层/Si衬底或为SiGe层/SiO<Sub>2</Sub>埋层/缓冲层/Si衬底多层结构;前一材料结构中S...
张苗安正华林成鲁沈勤我刘卫丽
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一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法
本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体(CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出...
刘卫丽宋志棠封松林陈邦明
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一种氧化铝基化学机械抛光液
一种氧化铝基化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及百分含量：抛光颗粒0.1~30wt%、表面活性剂0.01~10wt%、余量为pH调节剂和水性介质。本发明提供的化学机械抛光浆液对...
李沙沙刘卫丽宋志棠
三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法
本发明提供一种高速三维互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)的结构及其制备方法，其特征在于pMOS制备在大面积高质量单晶硅(110)面上，nMOS制备在大面积高质量单晶硅(100)面上，且pMOS和nMOS分开在不同层上...
刘卫丽宋志棠陈邦明封松林
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一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法
本发明涉及抛光液后处理领域，特别是涉及一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法。本发明提供一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法，包括：将回收的硅溶胶抛光液浓缩；采用碱液将浓缩液溶解；将溶解液稀释、过滤；将所得液体进行...
秦飞刘卫丽宋志棠
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多分散大粒径硅溶胶及其制备方法
本发明提供一种多分散大粒径硅溶胶及其制备方法，其主要作为抛光液使用提高抛光速度，所述制备方法是采用以下方法制备的：以粒径为20nm‑30nm的单分散球形硅溶胶为晶种，搅拌并加热，同时向反应体系不断的滴加粒径为20nm‑3...
孔慧刘卫丽宋志棠
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硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响被引量：1
2000年
用Ｘ射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线，分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明，在４００℃左右，氢注入形成的氢复合体分解；形成氢分子，氢分子在晶格中聚集，生成氢气，在高温下膨胀，引起晶格形变，并产生缺陷；当退火温度达到５００℃以后，氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度，产生了大量的缺陷、位错，同时在硅晶体内形成气泡，并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。
多新中刘卫丽张苗高剑侠符晓荣林成鲁
关键词：硅热退火应力晶体结构
三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法
本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片...
宋志棠丁晟刘波宝民封松林刘卫丽
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SOIM新结构与自加热效益
为减少传统SOI器件/电路的自加热效应,本实验利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋...
谢欣云林青刘卫丽林成鲁
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